拉扎维书上的基准源流片后出现的问题HHNEC 0.13um

afliek · 发表于 2013-3-14 23:21:30

回复 7# jamesccp

工作状态应该没问题，已经测试到近1uA的电流了，和设计值差不多

afliek · 发表于 2013-3-14 23:25:21

回复 9# TianBian365

那请问怎样才能在仿真中看到漂移的现象呢？

math123 · 发表于 2013-3-14 23:28:59

支持TianBian365 的观点，这个10Mhz 300mV的噪声是自己加的还是其它地方来的噪声啊，有测试过是否标准的正弦波信号吗？

afliek · 发表于 2013-3-14 23:43:59

回复 13# math123

不是标准的正弦信号，是内部高频数字信号通过输出端口的ESD器件时的振荡干扰，这个不是自己加的高频噪声，但是环路增益小怎么影响直流偏置点呢，还是不是很明白

afliek · 发表于 2013-3-14 23:52:11

回复 6# jiang_shuguo

10u左右，具体记不得了，反正考虑到够到调制效应的

afliek · 发表于 2013-3-15 00:01:13

回复 9# TianBian365

电源电压虽然有高频信号干扰，也不是标准的正弦信号，但是VDD的直流点还是1.8V没有变化，这点从示波器的波形测试能非常明显的看出来，VDD的直流分量是1.8V没有改变的

bananawolf · 发表于 2013-3-15 00:46:49

这个电路的iout会随温度升高而加大，会不会是因为你片子内部digital部分工作频率高了，导致芯片内部温度升高呢？

lihaiqi208 · 发表于 2013-3-15 08:36:27

回复 7# jamesccp
理论非常新颖，值得深思

jiang_shuguo · 发表于 2013-3-15 08:57:37

你设计的问题应该不大，应该是结构选取的问题了，应该搞个高PSRR的。你Rs上压降较小，你可以看下在VDD变化时，导致的VRs变化是多少。提高Rs上压降也不是最好的办法，换结构把。

jfyan · 发表于 2013-3-15 11:56:33

回复 10# afliek

hi
你好, 做过把噪声加在衬底上试试了吗? 看看DC点偏不偏?
good luck

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