【已解决】LEF和GDS产生的FRAM、CEL有什么不同？

xjg@hmes · 发表于 2013-1-30 21:17:52

回复 10# damonzhao

LEF或者GDS都可以分别做成CEL/FRAM，不需要组合。我们ICC FLOW一直这么做的。一般混合芯片Analog Macro
都是GDS做成CEL和FRAM的，Memory用LEF做比较多

damonzhao · 发表于 2013-1-31 07:12:35

回复 11# xjg@hmes

单纯的lef是出不来完整的CEL的，也就是最后gds出来的是不全的。

Alicezw · 发表于 2013-1-31 09:30:36

回复 9# damonzhao
哦。明白的您的意思了。谢谢！
貌似LEF和GDS都是可以得到FRAM、CEL的，只是用GDS麻烦一点。
谢谢您的指教！

Alicezw · 发表于 2013-1-31 09:53:14

回复 12# damonzhao

因为我用LEF和GDS产生的FRAM、CEL在ICC里面看到的样子不同，所以很奇怪，用这两种文件得到的FRAM、CEL怎么不同？或者是我的LEF文件提取错了？我看了那个LEF文件跟其他marco的没什么大区别。

smallerchip · 发表于 2013-1-31 09:59:30

damonzhao 是对的， FRAM 是BPV的结果，只是部分的CEL information。
LEF 里也是想要的physical information。

damonzhao · 发表于 2013-1-31 10:15:19

回复 14# Alicezw

在ICC中只能使用FRAM进行PR，所以只要确认size和pin已经routingblock之类的就可以了
CEL是为了最后出GDS时用的。

我不知道你说的不同是怎么个不同法，可以截图瞅瞅不?

Alicezw · 发表于 2013-1-31 10:43:10

回复 16# damonzhao

哦，谢谢您！
这是用LEF产生的FRAM、CEL：

登录/注册后可看大图

这是用GDS产生的FRAM、CEL：

登录/注册后可看大图

非常感谢您！

Alicezw · 发表于 2013-1-31 10:53:43

回复 16# damonzhao

哦，谢谢您！
这是用LEF产生的FRAM、CEL：

登录/注册后可看大图

这是用GDS产生的FRAM、CEL：

登录/注册后可看大图

非常感谢！

damonzhao · 发表于 2013-1-31 11:11:36

注意把ICC中的routingblockage或者routing guide那个layer打开
并切换metal layer看看是否忠实于gds的metal情况。

Library Data Preparation for IC Compiler User Guide 2010.03.pdf (2.52 MB, 下载次数: 254 )

其实，个人觉得如果有lef文件，用lef文件转最好。

最后merge gds就可以了，免得转的时候存在不确定因素，最终出来的gds存在不可靠性

Alicezw · 发表于 2013-2-1 09:29:13

回复 19# damonzhao

哦，好的，谢谢您！
那LEF抽出来的FRAM、CEL这样对吗？跟GDS抽出来的差好多啊。
谢谢您的帮助!

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