TSMC 转SMIC

lqshan.st · 发表于 2012-8-14 09:46:03

这要改好多东西吧

waiwai129 · 发表于 2012-8-18 14:34:14

加map，修DRC，重新放仿真看结果是否适合，以前做过一次，转完后将DRC改完后，流片结果和以前tsmc差不多。

joansoso · 发表于 2012-10-17 10:29:42

关键map中那些定义不同layer怎么处理啊？

mahaluluxu · 发表于 2012-12-17 17:40:38

同好奇!

fql · 发表于 2012-12-18 00:41:13

很简单的

liufengchun100 · 发表于 2013-1-8 21:45:25

很简单的
fql 发表于 2012-12-18 00:41

登录/注册后可看大图

光说简单有个毛用，你说说嘛怎么个简单法，怎么操作

memcad · 发表于 2013-1-15 09:46:03

回复 13# joansoso 需要了解两个foundry工艺光刻层的定义，然后对照着改。如果你跑的量很大，可以咨询SMIC的AE帮你们改layer或者给你们一个对照表。DRC还是要自己修。不知道SMIC能不能拿TSMC的mask直接流，这样省了制版费。
模拟电路按道理你们自己的designer应该知道怎么改的，尤其是电阻值，可能要改版图。

Pasingen · 发表于 2013-1-15 14:59:43

还有另一种方案，即满足功能一致、时序满足要求的方法：
(1) GDS通过NetExtract，获得spice级别、最好是Gate级别的网表
(2) 构成Gate级别的Verilog网表，去除杂散的tree、scan cell
(3) 重新综合到新的工艺库上、按接口要求进行重新布局布线
(4) 通过formilty验证逻辑一致性、通过pt验证是否符合时序
(5) 最好后仿真一下核心功能
硬生生的GDS－>GDS的方法不是不可以，但手工修改DRC错误会令人发狂。当然如果工艺差别不大，结合人工与脚步，也是可以实现的。
另：GDS->GDS还要小心版图是有专利的哦！

honglin23 · 发表于 2013-1-24 14:58:44

层次的转换就可以了~！

wang09123 · 发表于 2013-1-24 21:48:59

学习了啊

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