|
发表于 2013-1-1 00:15:58
|
显示全部楼层
回复 5# peterlin2010
我没记错的话,该50um thickness SOI process一颗最小的DMOS面积为560um*560um, drain 在最外面, source gate在中间,
该器件不是很适合做level shifter, 当时对它估计不足搞了很长时间. 哥们,您是想用它做桥式高边驱动? 可以用个二到三圈trench 把MV
devices 围起来, 不过, switching 速度太快的情况下还真不知道会发生什么情况. |
|