在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 6473|回复: 12

[讨论] 有人用過 x fab 700V Ultra-High-Voltage (UHV)

[复制链接]
发表于 2012-11-16 08:37:54 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
700V Ultra-High-Voltage (UHV)

X-FAB Offers Lowest Mask Count 700V CMOS Process in 0.35 Micrometer for Consumer-Based Power Conversion and Control Applications

=> 有人用過這家 X FAB 嗎 ?

uhv 除 tsmc   umc  vanguard  mxic  nuvoton  還有那些家有??

tsmc 應該可靠度高些吧 .
发表于 2012-11-16 12:55:37 | 显示全部楼层
xfab 700 SOI工艺,靠谱!
就是很贵!
 楼主| 发表于 2012-12-5 23:04:16 | 显示全部楼层
但聽說  device  700v  就是700v.

台灣其他家都會 打折一下 ..

不知你聽到是否如此 ???
发表于 2012-12-22 13:59:20 | 显示全部楼层
回复 2# xiaowanzi88


    XDH10, 也就是xfab 650V 工艺, 真的很准, 耐压基本在700-740V, 连HIR电阻都很准,
缺点是器件超大,并且MVnmos结构不好,不能同电位well合并
 楼主| 发表于 2012-12-22 17:42:31 | 显示全部楼层
器件超大 ?

多大一般 uhv mos  很多 都是 400um  直徑圓型
或是  race tabk

還有 , UHV mos 內 可以包 低壓device 嗎 ??
发表于 2012-12-22 18:02:44 | 显示全部楼层
同求,知识点
发表于 2012-12-24 14:29:00 | 显示全部楼层
这家fab真的很贵。我只见过他家40v的soi工艺...细节了解不多。
发表于 2013-1-1 00:15:58 | 显示全部楼层
回复 5# peterlin2010


    我没记错的话,该50um thickness SOI process一颗最小的DMOS面积为560um*560um, drain 在最外面, source gate在中间,
该器件不是很适合做level shifter, 当时对它估计不足搞了很长时间. 哥们,您是想用它做桥式高边驱动? 可以用个二到三圈trench 把MV
devices 围起来, 不过, switching 速度太快的情况下还真不知道会发生什么情况.
 楼主| 发表于 2013-1-24 17:27:42 | 显示全部楼层
no .. I just want use UHV mos for switch MOS ..可以省掉外面 powerMOS .
发表于 2014-7-9 21:24:39 | 显示全部楼层
haodongxia
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2025-2-25 14:15 , Processed in 0.024914 second(s), 8 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表