lvs command file定义三极管的问题(急)

randysong · 发表于 2012-11-9 16:04:45

你理解错了，markbjt只是定义这个区域的器件是三极管，markc才是决定有几个bjt的标识层，如果你有3个集电极，那么你就画3个mark才的图形分别覆盖3个集电极，注意，这几个markc的图形不能有任何接触，这样就可以提取出来3个啊

zhouyunye195 · 发表于 2012-11-9 17:22:34

回复 21# randysong

是calibre还是dracula？我用calibre跑的，但只用一层mark层定义器件，即：识别器件及数目都是这一层的。randysong你说的那种方法怎么定义？一般的：device Q(PNP5) 识别层 C B E, 如你所说有两个识别层，格式是怎么样的？就在识别层那写两个识别层么？

zero_0 · 发表于 2012-11-9 19:41:48

回复 19# zhouyunye195

好，既然是通过面积区分，那就可以做相应的 operation 了。Calibre 有 "size" "area" "expand" 等供你选择，也有可能会用到 "with neighbor" "hole" 等。
没有 design rule 和 PDK, 我只能做相应的猜测，而不敢斩钉截铁地告诉你该怎么做，希望能对你有所帮助。
另外，有几层标识层是由 Fab 决定，与你用什么验证工具无关。实在没办法的话，其实你也可以考虑加一层标识层，等项目完成时或者tape out 时再删掉

。

zhouyunye195 · 发表于 2012-11-10 09:33:16

回复 23# zero_0

不过calibre、dracula的语法有区别，其实不一定要design rule的，知道结构的话就可以做出这个器件，现在主要讨论的是怎么去定义、识别这种结构的器件

yaogang808 · 发表于 2012-11-11 22:06:15

不清楚哦，向前辈学习

zero_0 · 发表于 2012-11-12 10:00:23

回复 24# zhouyunye195

我没有接触过横向PNP，而我对横向PNP的认识也仅仅是从《模拟电路版图的艺术》获得，里面的collector的是一个Ring，并且我并不觉得你描述得很清楚，因为有用的信息是非常多的。有时候你可以定义得很死，不一定非要涵盖你所理解的横向PNP。
　　然后我想说，在你反驳之前最好先经过查找取证，就device的结构都经过近２０条回复才让你不再纠结，我实在很怀疑在你提问这段时间到底花了多少时间看SVRF。
　　如果你可以在我下班前（下午五点半）给出一张示意图，我肯定晚上可以给你做一个近乎正确的定义（但最好不要这样，自己思考肯定比别人给答案要学得多）；否则我觉得我的耐心还是不够，我不想再回这个帖子了。

zhouyunye195 · 发表于 2012-11-12 15:31:04

回复 26# zero_0

这是剖面图，结构很简单了，文字描述完全没问题的，zero_0强烈要求上图就上图先，用nwell加mark做识别层肯定没问题，zero_0你用P+加mark做识别层可以识别出器件么？我试了很久，识别不出。

zero_0 · 发表于 2012-11-13 13:05:27

回复 27# zhouyunye195

   抱歉，我昨天忘记看了，利用中午休息来答复吧。另外为我描述的不够清楚抱歉，因为我想知道的是更特别的信息，而不是泛泛的横向PNP，因为如果是我的话我就不打算定义得那么具有普遍性，只要在现在正在做的项目适用就好了，所以我想知道的其实是比如说：在这个项目里是否只有共基极&共发射极的横向PNP，3个collector是否面积一样（为多少），它们的形状怎样，它们与发射极的距离是否一样（为多少），是否在横向PNP外面都会圈guadring等等。这些信息只要在正在进行的project里具有适用性我觉得都可以利用，所以我其实是希望看到layout。
   在我接触的project里bipolar的size最多也就三种，假设你的project也是这样，我想或许可以这样（假设emitter的size分别是1，2，3um^2）：
         bjtbase = nwell interact mark
         bjtdiff = diff interact mark
         bjtemit1 = area bjtdiff < 1.01
         bjtemit2 = area bjtdiff < 2.01
         bjtemit3 = area bjtdiff < 3.01
         bjtecoll1 = area bjtdiff > 1
         bjtecoll2 = area bjtdiff > 2
         bjtecoll3 = area bjtdiff > 3
         bjtbase1 = (bjtbase enclose bitcoll1) and (bjtbase enclose bjtemit1 == 1)
         bjtbase2 = (bjtbase enclose bitcoll2) and (bjtbase enclose bjtemit2 == 1)
         bjtbase3 = (bjtbase enclose bitcoll3) and (bjtbase enclose bjtemit3 == 1)
         pnpcoll1  = bjtcoll1 inside bjtbase1
         pnpcoll2  = bjtcoll2 inside bjtbase2
         pnpcoll3  = bjtcoll3 inside bjtbase3
         pnpemit1 = bjtemit1 or mark
         pnpemit2 = bjtemit2 or mark
         pnpemit3 = bjtemit3 or mark

         dev q(pnp) pnpcoll1 bjtcoll1 bjtbase pnpemit1
         dev q(pnp) pnpcoll2 bjtcoll2 bjtbase pnpemit2
         dev q(pnp) pnpcoll3 bjtcoll3 bjtbase pnpemit3

   我不太确定这是否可行，因为我需要更多的信息。

randysong · 发表于 2012-11-13 16:19:40

Calibre的我没有搞过，不过类似，看用什么方式去识别了。既然你仅仅是为了正确的识别和LVS，那你可以多用一些层（版图中用不到的，做完LVS可以删除的）作为Mark就行了啊，比如markbjt和markc
pnpc' = p inside markbjt
pnpc=p inside pnpc'
然后再分别定义出e区和b区，就应该可以提取出来了吧？

zhouyunye195 · 发表于 2012-11-13 17:05:36

回复 28# zero_0

明白了,zero_0你是用面积来区别器件的，以前真没想到这一点，这还真不失为一种好方法，现在搞明白了一点，就是BJT器件定义是可以随便用哪个极做识别都可以的，只是要注意下其3个极之间的互联关系，用面积去区别也很好区分，zero_0的耐心其实很好哈，写的那么详细

非常感觉哈

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