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查看: 6157|回复: 7

[求助] APR後LVS ERC error 在std IO上如何解決?

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发表于 2012-11-2 09:59:07 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 QQEDA 于 2012-11-2 10:09 编辑

各位好,
  請教一下,我APR做完跑LVS的時候,對core的power/gnd line打上Label之後

  lvs 內的erc 說 在IO的地方有mos connected to both power and ground.

  可是我的IO是tsmc 的 standard I/O (.18),應該裡面不會有short到的地方才是。

  IO cell單獨跑LVS也是過的。

  dummy cell也有用lvs option勾選掉。

  而我APR的做法也僅是加入IO filler將IO gap補滿圍成一圈,並且在route之前就補滿。

  因此signal net也沒有繞到filler上,encounter中DRC, Connectivity 也都過了。

  希望有經驗的高手能出手相助,先感謝了。
 楼主| 发表于 2012-11-2 10:48:53 | 显示全部楼层
回复 1# QQEDA


   補充一下,剛才發現原本的std IO cell(PVDD/PVSS)在LVS 的時候便會出現erc的錯誤。
 請教一下這個該如何忽略?
发表于 2012-11-2 16:47:01 | 显示全部楼层
没加tieH tieL cell
 楼主| 发表于 2012-11-2 17:05:04 | 显示全部楼层
回复 3# B40514066


   你好,謝謝回覆
 design中已有加入TieHi 和 TieLow了。

 目前是LVS會過,可是LVS內附加的ERC檢查會有ERROR。

 因為std IO本身就存在這個ERC 錯誤

 只是因為std IO是tsmc的,想說應該是我少操作了什麼,所以才會出現這樣的ERC error吧。

 請教各位有相關經驗嗎?我的erc error 是錯在PVDD,PVSS上面
发表于 2012-11-2 17:08:19 | 显示全部楼层
感觉不像是tieh/tiel造成的,那样应该报gate connected to power/ground 或者floating gate.

原版本IO自身报过这个问题的话,应该去问问vendor.
发表于 2012-11-13 23:00:56 | 显示全部楼层
我也有类似的问题,LVS是通过的。但是ERC 和 SOFTCHECK  都还是报的有warning 。而这些warning是设计外环IO的问题。   查看LVS的rule ,写的太模糊,不知道如何解决? 请求遇到过此类问题的大牛帮小弟解释解释。
发表于 2019-6-10 16:03:03 | 显示全部楼层
请问楼主问题解决了吗,小弟也遇到了同样的ERC问题,用的是TSMC的IO
发表于 2021-2-2 16:32:42 | 显示全部楼层
捞一下,同样的问题
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