VCO设计

蓝白朵朵 · 发表于 2012-10-29 19:10:01

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本帖最后由蓝白朵朵于 2012-10-29 19:11 编辑

我想请问一下，VCO结构NMOS-PMOS互补结构，Vx（Vy）的振荡最高点是不是不能超过Vdd，附图一张（论文上的） B}}RX)MY(81TQ}@@YWC28.jpg

蓝白朵朵 · 发表于 2012-10-30 09:29:29

没人回答吗？

pyhpsh · 发表于 2012-10-30 11:03:23

不能超过

ipmsn5 · 发表于 2012-10-30 12:04:11

超过vdd会降低相位噪声性能. 你可以看看唐长文的毕业论文，上面讲的不错。

蓝白朵朵 · 发表于 2012-10-30 16:03:15

回复 4# ipmsn5

嗯，知道了，谢谢啊~

蓝白朵朵 · 发表于 2012-10-30 16:03:45

回复 3# pyhpsh

谢谢啊

蓝白朵朵 · 发表于 2012-10-30 16:19:16

回复 4# ipmsn5

我的Vdd=1.8V。设计的时候Vx（Vy）振荡最高点是1.8V，然后我增大尾NMOS管W，尾电流增大，此时Vx（Vy）振荡最高点是1.83V，相噪变好了，这是怎么回事啊？

不死的心 · 发表于 2012-10-30 16:40:14

回复 7# 蓝白朵朵
这张图是不是有问题，p管交叉耦合是不是应该接到漏端

pyhpsh · 发表于 2012-10-30 18:14:12

回复 8# 不死的心

同意。

pyhpsh · 发表于 2012-10-30 18:20:25

回复 6# 蓝白朵朵

要是互补型的交叉耦合LCVCO的话，个人认为振幅是不能超过VDD的。你的振幅之所以能超过1.8V, 到1.83V是因为PMOS的交叉接的不是通常意义上的交叉吧，一般都是借到漏上的。按照你这样接的话更像是一个NMOS only的交叉耦合LCVCO，幅度可以超过vdd，而且幅度越大，相位噪声会越好，不过是以功耗为代价的，而且性价比不会太好。

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