BSIM1，2，3，4的区别

guoweiqust · 发表于 2012-10-25 16:43:04

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

最近做电路仿真的时候，看了一下model文件，发现其中有个bsim4，上网搜索了一下
发现还有bsim1，2，3
伯克利分校开发的一种电路仿真的标准
求大侠指点这个bsim1，bsim2,bsim3,bsim4之间，在电路仿真时，有什么区别？

lwjee · 发表于 2012-10-25 22:31:59

就像Iphone 12345一样，BSIM4 是最新的，包含了WPE，LOD，STI等新工艺效应。工艺在发展，model的精度也在发展。

guoweiqust · 发表于 2012-10-26 10:25:11

回复 2# lwjee

仅仅是单纯的算法改变了吗？
其中bsim4的模型可以兼容bsim1的器件吧？

andy2000a · 发表于 2012-10-26 12:02:49

LOD (Length of Diffusion) Effect
http://bubuchen.pixnet.net/blog/post/17334775-introduction-to-lod-effect-%28%E4%B8%8A%29-
將會是影響類比電路的一個重要參數。

WPE
近井(Well)所造成的效應。
http://bubuchen.pixnet.net/blog/post/21776084

STI 淺溝渠隔離
http://ssttpro.acesuppliers.com/semiconductor/Magazine_Details_Index_Id_1363.html
是CMOS技術中的一個關鍵製程，用來隔離電晶體間電子的導通。儘管STI只是用作被動絕緣，當元件尺寸縮小時，其對電晶體特性的影響變成不可忽略。在文章中提出STI影響電晶體表現的兩個例子。首先探討STI對窄通道電晶體臨界電壓的影響，即所謂的窄通道效應。接下來提出STI對鄰近電晶體造成的應力變化。以上兩種效應皆是以TCAD程式模擬，期能協助工程師在發展製程時可以把這些效應的影響降到最低。

lwjee · 发表于 2012-10-26 20:20:45

回复 3# guoweiqust

我没说是只是算法改变啊。应该可以，但没试过。

不无道理 · 发表于 2012-10-26 21:23:39

BSIM 1->越来越复杂参数越来越多提取难度和仿真时间也是越来越长向下兼容这么看来并不是一个好主意够用就好

guoweiqust · 发表于 2012-10-29 09:06:21

回复 6# 不无道理

嗯，说的有道理

zhl_bao · 发表于 2014-9-9 09:20:13

同求，有没有大神详细解释一下，最近也在看这方面的模型资料

lishiliang · 发表于 2014-9-9 16:59:44

每个更新的版本user guide上都会说明这个版本相对以前版本的改动

karthikbabu108 · 发表于 2015-6-8 13:16:31

LOD (Length of Diffusion) Effect
http://bubuchen.pixnet.net/blog/post/17334775-introduction-to-lod- ...
andy2000a 发表于 2012-10-26 12:02

登录/注册后可看大图

thanks for sharing

-Karthik

[求助] BSIM1，2，3，4的区别

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

相关帖子

站长推荐 /1