NMOS放在N阱里电容值的变化?

confiope · 发表于 2012-10-4 12:24:18

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NMOS放在N阱里电容值的变化会怎样?
会随着VGS的变化而大幅变化吗?
通常的MOS电容会随着VGS的变化而大幅变化,
此类电容是什么样的情形呢,
望高手详细解答,不胜感激!

semico_ljj · 发表于 2012-10-4 20:02:29

积累 Cap

semico_ljj · 发表于 2012-10-4 20:03:26

普通 NMOS Cap 是反型

confiope · 发表于 2012-10-4 22:22:20

回复 2# semico_ljj
通常的说法是此类电容值不随偏值电压的变化而改变,但是我还是想知道权威的解释

ygchen2 · 发表于 2012-10-5 04:41:57

可以理解为阈值电压为负值的mos管电容随栅电压变化而变化，其特性相当于一般mos在反型区的特性。。。所以本质上讲叫积累或反型并没有根本区别。

confiope · 发表于 2012-10-17 17:11:40

其实PMOS放在N阱了也可以,
但是接触到了MOS电容,都是NMOS放在N阱了,
请问这两者的区别?

ygchen2 · 发表于 2012-10-17 22:04:23

其实PMOS放在N阱了也可以,
但是接触到了MOS电容,都是NMOS放在N阱了,
请问这两者的区别?
confiope 发表于 2012-10-17 17:11

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两者都可以用，PMOS放在N阱就是pmos管电容。NMOS在N阱叫NCAP，除非栅电容太低，一般情况下电容值变化不大；PMOS电容对栅电容会敏感得多。

confiope · 发表于 2012-10-18 08:53:45

回复 7# ygchen2

但是我接触到了DB工艺,如果NPOLY电压低于阱电压,电容会变得比正常值低很多,大概四分之一,
这样感觉和PMOS放N阱了没区别,
既然没有区别,为什么还要把NPOLY放N阱呢,不直接将PMOS放在N阱了呢?这样电路设计也方便的.

semico_ljj · 发表于 2012-10-18 11:16:53

电容会变得比正常值低很多,大概四分之一？？？！！！
只有四分之一？不会吧

confiope · 发表于 2012-10-18 11:43:56

回复 9# semico_ljj

恩 NMOS放在N阱里也这样

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