NMOS放在N阱里电容值的变化?

xy945 · 发表于 2012-10-18 16:36:27

学习学习~~谢谢~~

ygchen2 · 发表于 2012-10-18 23:16:56

本帖最后由 ygchen2 于 2012-10-18 23:24 编辑

回复 8# confiope

如果在很宽的柵电压范围，所看到的电容值的范围两种情况下应该是一样的，唯一的差别是相同电容值出现在不同的柵电压位置，如果电路工作条件下，MOS始终在反型区（或累积区），两者差别不大，如果有些情况下一般MOS管电容不能确保在反型区，电容值可能会变得很多，这种情况下如果希望看到比较恒定的电容值，用NCAP可能电容值往往变化会小一些。换个角度，也可以认为，两种结构的主要差别是阈值电压不同。应该根据应用环境去选择合适结构。。。

L_ju · 发表于 2012-10-28 21:36:48

回复 ygchen2

但是我接触到了DB工艺,如果NPOLY电压低于阱电压,电容会变得比正常值低很多,大概四 ...
confiope 发表于 2012-10-18 08:53

登录/注册后可看大图

你这种情况模拟版图艺术一书第六章里面讲了，我前天写了个关于mos cap的帖子，希望对你有用。
http://bbs.eetop.cn/viewthread.php?tid=357864&highlight=mos%2B%B5%E7%C8%DD

jianjing526 · 发表于 2012-10-29 12:17:36

Npoly/Nwell的下极板自然积累(Npoly和Nwell的功函数差）,Npoly上一个很小的正压即可看成W*L*Cox. Ppoly/Nwell电容需加正偏压才能反型. 如果Poly加负压，则倒过来了

shadowsun · 发表于 2013-9-17 11:20:10

我是来学习的

ic_shuo · 发表于 2021-1-7 15:16:59

我也是来学习的

lulibin6666 · 发表于 2022-4-25 17:33:18

我也是来学习的

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