帮忙看一个电流镜的问题~

yxh4348 · 发表于 2012-8-21 15:15:34

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如题~
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请帮忙说些解答理由~

yxh4348 · 发表于 2012-8-21 15:17:32

是这个问题~~

wuzl423 · 发表于 2012-8-21 15:45:56

R < (vdd - 2*Vsat)/I : I_R=20uA
R > (Vdd - 2*Vsat)/I : I_R= Vdd/(1/Gmn + 1/Gmp + R)

红色为估算条件哈。
个人愚见，仅仅参考哈。

firefly-317 · 发表于 2012-8-21 19:07:36

LS 正解
R小的时候上面PMOS 被压到线性区
R很大时，下面NMOS也被压到线性区
应该是这样的吧？

iWeiguo · 发表于 2012-8-21 19:20:23

wuzl423 说的有道理，电阻较小时，Ir=20uA，因为中间NMOS管的漏电压比第一个高（一般该条件成立），Ir会略大于20uA，这时R路的MOS管均工作与饱和区，因为管子漏电压的问题，电流与20uA略有差别；当R电阻太大时，导致R路的MOS管进入线性电阻区，电流就降下来了。wuzl423的第二个公式中的1/Gm即是线性电阻区电阻。

austxuhui · 发表于 2012-8-21 19:34:51

回复 3# wuzl423

请给个原因啊，4楼说的对么？

austxuhui · 发表于 2012-8-21 20:28:06

为了回复的哥们好说，我给管子和电流标注了名称

austxuhui · 发表于 2012-8-21 20:29:33

回复 5# iWeiguo

兄弟，可以按照7楼的图具体说一下么？谢谢。

yxh4348 · 发表于 2012-8-21 22:30:12

回复 3# wuzl423

这是模拟电路的面试题目~~额，多谢了~

iWeiguo · 发表于 2012-8-21 23:39:47

20uA电流源I1在二极管N1上产生Vgs1偏置，该Vgs1为N2，N3提供栅极偏置。如果N2，N3工作在饱和区，且漏电压与M1一样，则I2，I3为20uA。P2二栅漏短接，流过20uA电流产生Vsg压降，如果Vdd-Vsg得到的N2漏电压大于N1的漏电压，则I2电流大于20uA，如果Vdd-Vsg得到的漏电压不能能保证N2工作在饱和区，则I2电流小于20uA，因此I2，I3电流是多少与Vdd相关；类似的P3，N3，栅编制电压分别与P2,N2相同，I3电流取决与P3，N3的漏电压，如果电阻R太大，其压降也大，P3，N3工作在线性电阻区，则I3电流会小于20uA很多。如果电阻R较小，其压降也小，P3，N3工作在饱和区，则I3电流约等于20uA，之所以约等于是因为可能漏电压不相同。

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