MOS管饱和区迁移率

elovu5256 · 发表于 2012-8-7 16:09:57

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MOS管在饱和区时，如果漏极电压VDS保持不变，栅极电压VGS变大，

此时，沟道中电子的迁移率如何变化

feynmancgz · 发表于 2012-8-7 16:24:43

回复 1# elovu5256

在Vgs不是很大时，迁移率不变
当Vgs越来越大，迁移率会变小

elovu5256 · 发表于 2012-8-7 16:49:40

回复 2# feynmancgz

为什么呢是由于晶格散射吗

elovu5256 · 发表于 2012-8-7 16:49:43

回复 2# feynmancgz

为什么呢是由于晶格散射吗

semico_ljj · 发表于 2012-8-7 17:05:33

二级，多级效应

hezudao · 发表于 2012-8-7 17:12:03

Mobility reduction due to vertical field

elovu5256 · 发表于 2012-8-7 20:49:47

回复 6# semico_ljj

能解释一下吗谢谢

elovu5256 · 发表于 2012-8-7 20:52:17

回复 7# hezudao

can you explain it more clearly ? thanks

feynmancgz · 发表于 2012-8-7 21:05:33

回复 5# elovu5256

When Vgs-Vt is very hihg, carriers are attracted to interface states and other imperfections at the Si-SiO2 interface due to the high, vertical, electric filed between the gate and the channel. This causes a reduction in carrier mobility

elovu5256 · 发表于 2012-8-7 21:59:46

回复 10# feynmancgz

so the reduction of mobility is the result of scattering, right?

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[求助] MOS管饱和区迁移率

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