求助：1.3-6V下工作的bandgap，愁死了

huhuh · 发表于 2012-7-24 09:50:33

用耗尽管做基准，不用bjt

semico_ljj · 发表于 2012-7-24 10:40:51

工艺是？？？0.35um？

Jeecoun · 发表于 2012-7-25 15:22:45

1.4V 85dB的PSRR。不过我管子基本上都是工艺允许的最长度了。

chenkai_kk · 发表于 2012-7-25 20:08:32

用起native nmos就好设计多了。刚流了一个0.8V~的bandgap

luckyhuihui666 · 发表于 2012-7-26 20:58:12

用起native nmos就好设计多了。刚流了一个0.8V~的bandgap
chenkai_kk 发表于 2012-7-25 20:08

登录/注册后可看大图

就是阈值电压比较低的那种吧，只有NMOS……

luckyhuihui666 · 发表于 2012-7-26 20:59:42

1.4V 85dB的PSRR。不过我管子基本上都是工艺允许的最长度了。
Jeecoun 发表于 2012-7-25 15:22

登录/注册后可看大图

能分享下或者提个方向吗？谢谢

beyond某人 · 发表于 2014-6-17 17:11:00

回复 1# luckyhuihui666

我和你的情况一样，你那有相关的论文吗？能分享一下吗？

jiang_shuguo · 发表于 2014-6-17 17:38:36

pre power +基本bandgap，或者pre power+ 耗尽基准。没有pre你的line 和psrr 不太可能达标，或代价很大

beyond某人 · 发表于 2014-6-18 11:47:13

回复 2# semico_ljj

哥，能给推荐几篇论文不？在不同电源电压下工作，很是晕乎！

mk2003 · 发表于 2014-6-19 16:47:04

凡是说psrr不说频率就是耍流氓..

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