为啥ESD管子的源端要放在二边,漏端放在中间?

huang.xiwei · 发表于 2012-6-19 16:56:41

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请教各位一个问题:
为什么我们在画ESD版图的时候,都是把源端放在二边,把漏端放在中间,为什么不可以把漏端放在二边,把源区放中间呢?

对于这个问题,在设计规则上有看到一条 "To avoid the unwanted parasitic bipolar effect ,the comer of active area should be source rather than drain" ,请问下这个是如何避免的,

个人理解:我个人以为,首先是因为漏端需要承受大的ESD 电流,所以说为了保护漏端的环境一致,因为你把漏端放在二边,那么这二边的漏端与中间的漏端的一个环境还有电阻应该都是会有影响的.这样应该会使二边的漏端更易损坏.

希望各位大侠不惜指教!~

duduxy · 发表于 2012-6-26 17:06:41

这个要看你的ESD是用在哪里的，是IO端还是power clamp，是利用mos管的寄生bipolar，还是利用mos管的沟道泄放esd电流。

enjoy545352 · 发表于 2012-6-27 11:46:10

回复 3# duduxy

哪种情况下是需要将漏端放在中间的，烦请说详细点。

huang.xiwei · 发表于 2012-6-29 11:39:04

都是放在ＩＯ端中旁边．是利用mos管的寄生bipolar击穿的．

huang.xiwei · 发表于 2012-6-29 11:41:00

回复 4# enjoy545352

一般代工提供的ＥＳＤ　rule 里都会有一个截图给我们，它们上面的ＥＳＤ布局就是源区放在两边，漏区放在中间．所以一般我们都是采用这种做法．

zhuyujun · 发表于 2012-6-29 12:42:07

学习了！

duduxy · 发表于 2012-6-29 14:47:05

一般最边上是衬底，再是源区，过来是漏区，有助于寄生bipolar的开启。你可以看看ESD来的时候，寄生biploar是如何开启的。

dqyang · 发表于 2012-7-5 17:32:17

回复 8# duduxy

这是ggmos结构吧，I/O ESD从D端进，使DB结雪崩击穿，衬底电阻使SB正偏（相当于bipolar发射结正偏），bipolar导通，是这样的吧？这开启与S端放不放两边没什么影响吧？

allen_tang · 发表于 2012-7-5 17:48:21

回复 9# dqyang

应该是D端放在B的边缘，ESD电流刚进来看到的第一个D端会看到3边的B端，其余的D端只会看到上下两个B端，这样容易烧掉吧.

dqyang · 发表于 2012-7-5 18:13:29

回复 10# allen_tang

嗯，确实环境不一致, 谢了!
那“To avoid the unwanted parasitic bipolar effect”指的是什么？是指和边缘ring的寄生bipolar吗

[求助] 为啥ESD管子的源端要放在二边,漏端放在中间?

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