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查看: 5875|回复: 12

[讨论] 问一个基本问题:Mos电路为什么要进行场区隔离,比如Locos

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发表于 2012-7-4 00:00:20 | 显示全部楼层 |阅读模式

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P型衬底上的两个N管将两个管子隔开一段距离,而间隔不加场氧。这会有什么影响啊,是会有漏电吗?
发表于 2012-7-4 11:00:40 | 显示全部楼层
谢谢楼主!!
发表于 2012-7-4 11:03:55 | 显示全部楼层
说明白点啊
发表于 2012-7-4 18:25:04 | 显示全部楼层
fox oxide比较厚,不易反型,防止poly、metal走线使得寄生device导通而造成漏电,LZ是这个意思吧?
 楼主| 发表于 2012-7-5 15:00:11 | 显示全部楼层
回复 2# kakawalee


    不客气
 楼主| 发表于 2012-7-5 15:01:44 | 显示全部楼层
回复 4# allen_tang


    我想问的就是场氧的作用,谢谢
 楼主| 发表于 2012-7-5 15:05:21 | 显示全部楼层
回复 3# tfangli1234


    我就是想问下场氧的作用 谢谢
发表于 2012-7-5 19:41:04 | 显示全部楼层
不加场氧会有寄生的管子且寄生管子的阈值很低容易导通,会有漏电产生!
发表于 2012-7-6 16:21:57 | 显示全部楼层
金属1如果跨过有源区,但是又没有场氧的话,金属会“变成”栅,然后会产生寄生晶体管,影响电路功能。而场氧的厚度会保证这些寄生晶体管的阈值为几个伏特,一般来说没有问题。但在高压区域就不行了,所以一般工艺会禁止在高压区域走金属一。
 楼主| 发表于 2012-7-6 23:31:37 | 显示全部楼层
回复 9# terry8876

谢谢你的回答,很在理
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