关于MOS管源漏区不对称的问题

liiru · 发表于 2010-5-16 16:40:56

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有些MOS管的源漏区不对称，一边比较宽，接触孔离栅极比较远，为什么会做成这个样子呢，是因为要流大电流还是为了耐高压，或者是其他什么原因？求知道的高手帮忙回答一下！多谢了！

liiru · 发表于 2010-5-16 16:44:31

还有再问一下，我现在版图要画一个电流大概是6mA的MOS管{W/L是10/1，m=40}，除了金属走线需要加宽以外，还需要注意什么呢？比如源漏区需要加宽么？

liiru · 发表于 2010-5-16 16:55:23

希望高手们不吝赐教啊！多谢了！

bluesmaster · 发表于 2010-5-16 21:35:17

耐高压，6ma的随便layout，又不是6a的

rocflying · 发表于 2010-5-16 23:12:48

不对称的mos一般是高压的

liiru · 发表于 2010-5-17 08:28:54

多谢楼上两位高手的回答。对我帮助很大！

sxzong_hit · 发表于 2010-5-17 09:39:08

学习了~~

andyjackcao · 发表于 2010-5-17 20:17:47

有些MOS管的源漏区不对称，一边比较宽，接触孔离栅极比较远，为什么会做成这个样子呢，是因为要流大电流还是为了耐高压，或者是其他什么原因？求知道的高手帮忙回答一下！多谢了！
liiru 发表于 2010/5/16 16:40

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1),有些MOS管的源漏区不对称，一边比较宽，接触孔离栅极比较远，
常见的情况是在ESD结构和HV非对称管中

2),为什么会做成这个样子呢
ESD结构中,采用这种结构,常常是把D加宽,增加ESD能力
在HV 非对称管中,是工艺耐压限制

liiru · 发表于 2010-5-25 16:07:59

非常感谢您的回答，学习了。 8# andyjackcao

纯白雾隐 · 发表于 2012-6-12 16:57:46

回复 8# andyjackcao

想问一下这个不对称的管子在有pdk的情况下要怎么设置，还是自己手动画一个管子的版图呢？？？？

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