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[求助] 菜鸟问题:为什么需要PMOS?为什么不只用NMOS?

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发表于 2012-6-10 11:12:14 | 显示全部楼层 |阅读模式

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相同尺寸nmos的电流要比pmos大啊
发表于 2012-6-10 14:21:19 | 显示全部楼层
拉扎维,sansen的书上有说的,比如PMOS和NMOS可以做在一个支路上,单纯用NMOS可能需要两条支路。减小功耗。还有很多原因。
发表于 2012-6-10 14:28:16 | 显示全部楼层
主要是功耗方面的考虑!
 楼主| 发表于 2012-6-11 19:57:55 | 显示全部楼层
回复 2# weidianwj


    谢谢!
发表于 2012-6-12 18:11:26 | 显示全部楼层
回复 1# xhwubai

NMOS是电子为多子,PMOS是空穴,电子迁移率是空穴迁移率的2~4倍,当然导电能力强了。可以参考拉扎维书的第18页。
 楼主| 发表于 2012-6-12 19:10:24 | 显示全部楼层
回复 3# haibinshao


    http://bbs.innoing.com/archiver/tid-14196.html

看到一个网站有这样的讨论:

tmacxjs 發表於 2008-5-17 10:08 AM

P-MOS 有什麼優點為什麼比N-MOS好

他到底有什麼迷人之處可以請各位先進幫我結答一下嗎?
是跟MOS移動的載子有關嗎?

abeiptp 發表於 2008-5-17 09:43 PM


因為上橋PMOS的gate接到0就可以打開了,若用NMOS可能要用更高的電壓才能打開

tmacxjs 發表於 2008-5-17 10:39 PM


但是要截止他要正電壓不是嗎?那只不過是跟NMOS相反而以?
要怎麼能凸顯她比N<MOS好呢?

shaq 發表於 2008-5-18 05:51 PM


PMOS 的 Flicker noise 較小
Razavi 書上有提到喔&#8764; 

yhchang 發表於 2008-5-18 05:58 PM


除了PMOS本身的 Noise 比NMOS 小一點之外
有些電路之所以會採用 P-type 而不用 N-type 有可能是因為
用N-TYPE做 可能會受到 Ground Bounce的影響   如果改用 P-Type卻只會受到 Power IRDrop的影響
相較之下  後者較佳.  因為在一般情況下 Ground的行為往往比POWER更加多變

enjoymartin 發表於 2008-5-24 11:31 PM


一般除了电路本身要求需要PMOS外,其它的选择的理由应该考虑noise,当然。楼上的说法很有道理。

engronger 發表於 2008-5-27 12:53 PM


1: it can has a low drop voltage, for NMOS, it always has a Vth drop expect Native NMOS. this is very important
2: PMOS can be high efficient at low loading current

finster 發表於 2008-6-8 10:50 PM


補充一點
如果你是考量到driver的size和driver的電流能力
那NMOS的area會比PMOS來得小,且driver的輸出電流能力是NMOS大於PMOS

gto10620 發表於 2008-7-22 01:19 AM


帶電量的關係...電子學有提到
可以去查查看唷
.....................................

mmbswy 發表於 2008-7-26 05:43 PM


相比NMOS,PMOS并没有什么优势。
NMOS载子迁移率是PMOS载子的2倍左右,故相同电流PMOS尺寸较大;
如果你了解最早的NMOS工艺为什么改进为现在CMOS工艺,你就会理解采用PMOS的原因;

N阱工艺,PMOS作为输出差分对,噪声小于NMOS差分对

ukyo 發表於 2008-9-23 04:27 PM


如果是就H-bridge來說的話,
PMOS可以直接給定GATE電壓,
但上橋若改用NMOS的話,
必須增加bootstrap的機制,
讓電路複雜度上升。

iamif520 發表於 2008-10-6 10:03 PM


問題有錯吧ˇˇ

PMOS根NOMS用途不同。
有些情況PMOS較佳
有些情況NMOS才好

jeffshein 發表於 2009-10-9 10:28 AM


同意樓上的說法
如要用在POWER MOS上的話用NMOS比較好
因為單位面積下其阻抗值比較低
但用在LDO的話 PMOS比較好
因為LOW DROP之故 且PSRR亦較佳
如果用在小訊號控制上並無差異

kingliu 發表於 2009-10-9 12:04 PM


同意樓上的說法
在相同條件下 Vgs Rdson..
N-ch會比P-ch cost低,
且容易控制,因P-ch可以直接將Gate接地就可導通
而N-ch若在電路上沒有相對高壓bootstrap)(就比較麻煩.
.

u8912017 發表於 2009-11-17 04:53 PM


同意上面大大的說法…

就我所知,如果你是要在high-size上用N-channel的話,

那麼你的Vgs就必須大於一個Vth (Vgs>Vth)才能夠讓N-channel turn-on!

另外你還得另外多一個bootstrap的電路讓N-channel的source端電位大於gate端,

不然你N-channel即使你gate端pull to VCC,

但gate端和source端同電位的話(VCC)還是沒辦法讓N-channel ture-on!

如果你把high-size改成P-channel的話就沒有這方面的問題了,

因為只要把p-channel的gate端pull to ground就可以讓p-channel ture-on了!

PS:至於你要使用p-channel還是n-channel,就看你應用端的選擇了!!

melpunter 發表於 2011-3-14 11:48 PM


进来学习下,简单的问题但想说清楚还真不容易

mattmei 發表於 2011-5-19 05:38 PM


PMOS控制簡單,但不容易生產,NMOS更容易生產,價格便宜些

patrick02046 發表於 2011-6-20 06:28 PM


本帖最後由 patrick02046 於 2011-6-20 06:30 PM 編輯

建議作者可以用以下標題尋找nmos 與 pmos區別:

1. 結構組成(pnp, npn)

2. 通道載子總類 (電洞、電子)

3. 電壓極性接法 (偏壓方式)

4. 導通電壓 (極性、決對值大小與溫度特性)

5. 遷移率

其他有很多是延伸,比如說:
a. noise
b.前面討論high side mos 採用nmos原因
c.cmos製程中可以使用何種type的寄生bipolar.
d.線性度考量
.....

today 發表於 2011-11-2 06:04 PM


價格差異!
製程差異!
以目前的電池組應用來說,NMOS放在High side是趨勢,
但相對的控製IC的設計就增加困難了!需要有Boost電路.
发表于 2012-6-12 20:19:14 | 显示全部楼层
学习学习
 楼主| 发表于 2012-6-17 11:10:57 | 显示全部楼层
回复 5# aries2008


    谢谢,还有个材料请参考6楼
发表于 2012-6-18 18:16:58 | 显示全部楼层
Pmos做hside管时,Vds可以近似为0,Nmos做不到; 还有Pmos背栅效应小一些。
还有一个重要的好处:Pmos可以做在不同电位的井里面,Nmos一般不行。
发表于 2012-6-18 23:22:35 | 显示全部楼层
我觉得最开始还是因为数字电路需要CMOS,然后模拟的才考虑用上PMOS
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