关于MOS的栅长和阈值电压的关系

iamshan · 发表于 2012-6-9 18:10:51

回复 20# sudezhao

假设channel length 从 0 到 10 um， VT变化规律一般是从0~1um，随着L增大，VT增大，这主要是short channel effect在起作用；
随着L继续增大，VT逐渐减小，然后基本不变，这主要是reverse-short channel effect在起作用。

jr3749352123 · 发表于 2013-1-23 10:28:43

xuexixuexi

cyl · 发表于 2013-1-23 11:03:44

学习了……

treey · 发表于 2014-4-9 10:44:07

正好解决了我的困惑

zixi_2012 · 发表于 2014-4-10 16:03:06

学习了

beyond某人 · 发表于 2014-9-4 11:09:02

回复 21# iamshan

good

windwithgone · 发表于 2014-9-6 13:15:55

回复 18# byd306

halo implantation: large angle implantation, to avoid S/D punch-through

林厅子 · 发表于 2015-12-8 23:29:13

这个问题我也刚碰到，纠结很久，一直没有解决。老师叫我看BSIM3v3参数，不过也没弄懂。如果有好的分析方法，求分享下

梦想天空123 · 发表于 2016-5-3 23:42:53

学习了

aicman · 发表于 2018-3-20 00:52:30

学习来了。

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