请问开关管在线性区还是饱和区的转换速度快？

fuyibin

回复 10# vdslafe

尺寸相同，如果一个在饱和区，另一个在线性区，当然是饱和区的快，到这个问题的本质是什么？
本质就是有更多的电流要流过这个开关，就不得不把这个开关推向饱和区，就像堵车了，要拓宽马路这么简单

vdslafe

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feynmancgz

LZ的意思应该是问要不要强反型吧~

hezudao

回复 11# fuyibin


  同样尺寸，如果不考虑ctrl signal swing.感觉还是drive到triode更快，电流都是电流源决定的，大小假设不变。

wspyl

   

LZ的意思应该是问要不要强反型吧~
feynmancgz 发表于 2012-4-14 16:45

                               
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不是要强反型哈，就是问相同尺寸下，开关管在饱和区的切换速度快还是在线性区的切换速度快。

敏兹

控制栅极电压来控制开关工作在饱和，那这还叫一个开关么，还是说，饱和一会你又改变栅极电压让他又到了线性？

wspyl

   

控制栅极电压来控制开关工作在饱和，那这还叫一个开关么，还是说，饱和一会你又改变栅极电压让他又到了线性 ...
敏兹 发表于 2012-4-15 11:23

                               
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哦，因为找不到其他办法让开关管工作在饱和区了......
一开始我是改变开关管的宽长比，但要使它工作在饱和区的话需要很大的宽长比。然后我就改变开关管的栅极输入电压，比如在相同宽长比下，Vg是0V时闭合，1.2V时开启（PMOS管），那么管子闭合（有电流通过）时是在线性区；然后限制栅极输入电压的幅度，Vg是400mV时闭合，还是1.2V时闭合，那么管子闭合时就是在饱和区了。

不知道这样有什么问题......

helongknight

开关的意思是导通电阻小，输出电压低，这样有开关的理想特性，但是又受到开关打开和关闭速度的影响，两者又是矛盾的，器件尺寸越大，导通电阻越小，但是输出电容大，速度低。器件在深线性区、线性区、临界饱和区时，速度是越来越快，这是因为，线性的越深意味着驱动强度越大，够到反型载流子越多，在导通时转换到截止时，必须及时对够到电荷泄放，在临界饱和区时，导通电阻不是很大，而且线性不是很深，容易关断。

hantiancao

开关管肯定是控制栅极电压，当（Vgs-Vth）大于零的时候开关就打开了。
前面说了，电阻越小开关速度越快，这点没有错。电阻计算公式为：饱和区：R=1/(un.Cox.(Vgs-Vth))，线性区：R=1/(un.Cox.Vds)，工作于饱和区的Vgs-Vth较大，故饱和区电阻小，速度快些。

smartbear_06

单从MOS管的VDS-ID曲线看，那必须是饱和区的速度快，但是你的方法的是把栅电压改变，让MOS工作在饱和区的话，这时候可不好说了，因为VGS变小时候ID也会减小的，这时候的电流可能还没有一个大VGS在线性区的时候大。