请教一个基本电路问题，比较这两个电路

wind2000sp3 · 发表于 2012-4-9 17:00:52

回复 4# lee88290743

其实我们学习的那种模型是最最简略的模型，它的主要任务是让我们通过手算达到对电路的理解。而MOS管本身是很复杂的，想BSIM3v3是个场模型，我们从里面根本不会找到你说的公式。BSIM3v3想通过划分不同的w、l区域让model与MOS管的物理特性更加吻合，如此而已。但是，模型就是模型，他绝对不可能完全吻合物理现象。这个才是真理。

你说的小尺寸下还是和手算的不大相同是可以理解的，如果你想知道得更多，建议你读一些model的书籍就了解更多了。简单一点的话，你就打印一下直流工作点，什么Vth啊、u0啊，应该都有轻微差别的。

s2is · 发表于 2012-4-9 17:09:26

图一图二中的PMOS应该是工作在不同工作区……LZ check一下吧.

敏兹 · 发表于 2012-4-9 18:15:48

lamda不同，电流也不同，ro不同，还有sidewall之类的电容也不一样，因素太多

hezudao · 发表于 2012-4-9 18:28:34

wind2000sp3正解，如果有pre-sim的话，一些寄生参数也会不同

bbbenjamin · 发表于 2012-4-9 22:19:38

拉扎维那本书里面说 WL大了可以减小各项失配
是不是这个原因呢...

lee88290743 · 发表于 2012-4-9 23:39:12

回复 8# lakeoffire

vth 确实有微小的差别,不过这也是正常的,不至于对电路有这么大的影响吧.

lee88290743 · 发表于 2012-4-9 23:42:41

回复 12# s2is

在这两个图里,他们都是饱和的,你看一下vds和vgs就知道了

lee88290743 · 发表于 2012-4-9 23:54:05

回复 10# lixiaojun707

对,我做这个的就是为了仿真schematic和layout的区别,在这个电路中0.5v可能还没什么.
可我做的一个3级放大器schematic跑的好好的.画完版图仿了一下提取的网表,结果第三级就不饱和了.感觉很奇怪,觉得差别有点太大了

lee88290743 · 发表于 2012-4-10 00:02:42

回复 13# 敏兹

我想知道为什么lamda是不同的,W不同,但L都是一样的,Leff不也应该是一样的么?

lee88290743 · 发表于 2012-4-10 00:11:09

回复 11# wind2000sp3

说得太好了,我先找本modeling的书看看.
不过先说一下我遇到问题吧:

设计了一个三级运放,schematic仿真结果挺好,画了一个layout,仿extracted,结果没有增益了,检查了电路节点,发现工作点跑偏了,原因是fingers造成的,于是反过来仿了一个基本的schematic(如上图),发现原来model本身就是这样的,觉得很郁闷,不知道为什么会这样?

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