840组数据研究simc.13um工艺n33和p33mos管参数，得出与理论差距非常大的结论

gaojun927

这到有点做科研的意思。
不过你的标题起的不对，不是与理论有巨大差距，而是与一阶简单模型有巨大差距。如果你查对应的模型公式，应该是分毫不差才对。
科研的下一步应该是从中提取出一个比一阶模型更准，比理论更是更简单的设计方法，比如gm/Id法。

gaojun927

回复 3# jxjxhwx


    问题的关键是你的“理论”指什么？指教科书吗？教课书里的短沟，窄沟等效应也只是器件物理里比较经典的一些东西，但不代表是器件物理里唯一的东西。我不知道你这数据是从哪里得来的，如果是软件，那应该就是模型后面对应的数学公式，而数学公式是怎么得来的，是器件上的一些分析和拟合。所以你这些数据都是有根源的。如果你是真正测量的数据，就得先问是不是能放入目前已有的理论框架中，如果放不进去，那才是真正的有价值的数据，比如江崎当年的二极管。
   更具体的你可以问问周围做器件的。原则上他们应该知道模型中每个参数都是怎么来的。几年前我也问过做器件的人同样的问题。

vdslafe

你的目的是什么？
用一阶模型来做0.13um 的设计，是不明智的。浪费你的生命。
tsmc 的spice 模型比所谓“教科书”上的理论公式要可靠的多

vdslafe

为啥要手算？
又不是做学校作业，你是做工程设计

semico_ljj

大致的W/L完全可以手算啊，就用二阶模型