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[讨论] 840组数据研究simc.13um工艺n33和p33mos管参数,得出与理论差距非常大的结论

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发表于 2012-3-29 14:15:28 | 显示全部楼层 |阅读模式
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发表于 2012-3-29 15:14:32 | 显示全部楼层
这到有点做科研的意思。
不过你的标题起的不对,不是与理论有巨大差距,而是与一阶简单模型有巨大差距。如果你查对应的模型公式,应该是分毫不差才对。
科研的下一步应该是从中提取出一个比一阶模型更准,比理论更是更简单的设计方法,比如gm/Id法。
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 楼主| 发表于 2012-3-29 15:21:43 | 显示全部楼层
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发表于 2012-3-29 17:18:41 | 显示全部楼层
回复 3# jxjxhwx


    问题的关键是你的“理论”指什么?指教科书吗?教课书里的短沟,窄沟等效应也只是器件物理里比较经典的一些东西,但不代表是器件物理里唯一的东西。我不知道你这数据是从哪里得来的,如果是软件,那应该就是模型后面对应的数学公式,而数学公式是怎么得来的,是器件上的一些分析和拟合。所以你这些数据都是有根源的。如果你是真正测量的数据,就得先问是不是能放入目前已有的理论框架中,如果放不进去,那才是真正的有价值的数据,比如江崎当年的二极管。
   更具体的你可以问问周围做器件的。原则上他们应该知道模型中每个参数都是怎么来的。几年前我也问过做器件的人同样的问题。
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 楼主| 发表于 2012-3-29 19:37:06 | 显示全部楼层
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发表于 2012-3-30 06:13:02 | 显示全部楼层
你的目的是什么?
用一阶模型来做0.13um 的设计,是不明智的。浪费你的生命。
tsmc 的spice 模型比所谓“教科书”上的理论公式要可靠的多
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 楼主| 发表于 2012-3-30 11:55:23 | 显示全部楼层
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发表于 2012-3-30 12:39:53 | 显示全部楼层
为啥要手算?
又不是做学校作业,你是做工程设计
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 楼主| 发表于 2012-3-30 12:57:17 | 显示全部楼层
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发表于 2012-3-30 13:51:43 | 显示全部楼层
大致的W/L完全可以手算啊,就用二阶模型
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