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[讨论] NMOS电容和PMOS电容在相同尺寸的情况下哪种电容要好点

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发表于 2012-2-23 23:40:38 | 显示全部楼层 |阅读模式

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NMOS电容和PMOS电容在相同尺寸的情况下哪种电容要好点,我发现很多是用NMOS电容.
发表于 2012-2-24 09:33:54 | 显示全部楼层
以原理來看PMOS 的載子 是 電洞9 NMOS 的載子 是 電子 電子移動較快。如果無其他考慮 NMOS 似乎 較佳
发表于 2012-2-24 11:08:36 | 显示全部楼层
您好,以下是我的觀點
MOSCAP的容值取決於Vgb的跨壓,跨壓越大容值越大
NMOS body接VSS,PMOS body接VDD
所以一般若是用作supply decouple的電容,會使用NMOS電容
因為此時跨壓最大(PMOS跨壓=0幾乎沒電容性)
如果是連接到analog input的電容,我會建議用PMOS
因為它有N-well,substrate noise immunity較好
发表于 2012-2-24 14:19:14 | 显示全部楼层
回复 3# Bookert0921


    个人观点:MOSCAP的容值与压跨呈正向关系,这一点只在Vgb<Vth的情况下成立吧~~一旦Vgb超过了Vth,MOSCAP的容值就趋于一定值,只与本身的面积和氧化层的厚度有关。
发表于 2012-2-24 17:29:56 | 显示全部楼层
还有ESR也不同。
P还是N主要还是看实际电路需要。
发表于 2012-2-25 16:49:43 | 显示全部楼层
没有一定。
发表于 2012-2-25 20:13:54 | 显示全部楼层
MOSCAP实际上是工作于三极管区的mos管,pmoscap较nmoscap在版图设计上会多一层,为降低成本,会选用nmoscap
发表于 2014-8-10 10:14:04 | 显示全部楼层
学习中!!!谢谢!!!
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