是nwell-ring包在里面好还是pwell-ring包在里面好？

prayer163 · 发表于 2012-2-22 16:58:06

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作一个pmos和一个nmos，designer要求用p/n 两圈diffusion ring保护起来,请问是nwell-ring作在里面好还是pwell-ring包在里面好？有什么道理吗？

ICLAOUT · 发表于 2012-2-22 17:56:34

如果该模块版图比较敏感，那就先用P+（地）包起来，然后用N+（电源包起来）
如果该模块版图属噪声源，那就先用N+（电源）包起来，然后用P+（地）包起来

zhaojia · 发表于 2012-2-22 23:12:07

楼上能否深入的讲讲？具体作用！

professor_h · 发表于 2012-2-23 00:29:50

回复 2# ICLAOUT

能否请深入的讲解一下，谢了！

half_honey · 发表于 2012-2-23 09:33:19

回复 2# ICLAOUT

求教原理~

motofatfat · 发表于 2012-2-23 09:53:19

有人說都好
ㄧ般都是
N 在外P在內 N可組隔 P可增加　BODY contact

yjie62 · 发表于 2012-2-23 10:28:38

如果该模块版图比较敏感，那就先用P+（地）包起来，然后用N+（电源包起来）
如果该模块版图属噪声源，那就 ...
ICLAOUT 发表于 2012-2-22 17:56

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如果模块是噪声源是不是要先P再 N啊？P+吸收里面的噪声，N+阻止模块里面的噪声出去

huang.xiwei · 发表于 2012-2-23 23:38:06

其实可以从多子和少子的原理去分析一下就可以了!

prayer163 · 发表于 2012-2-24 09:00:56

我顶！~

robberxiong · 发表于 2012-2-24 10:24:58

哦，受教了，不错的分析！

[讨论] 是nwell-ring包在里面好还是pwell-ring包在里面好？