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查看: 20221|回复: 41

[求助] P+/N+电阻、POLY电阻上走MT1、MT2会有什么影响

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发表于 2011-9-28 21:20:54 | 显示全部楼层 |阅读模式

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P+/N+电阻、POLY电阻上走MT1、MT2会有什么影响
MT平行电阻或垂直电阻走线,会有影响吗?
是为什么?
请高手指教
发表于 2011-9-29 10:16:49 | 显示全部楼层
肯定有影响的呀,在电阻体上跨线,能造成电阻体离子迁移,阻值会有变化,对电路的功能和性能有影响的
发表于 2011-9-29 10:42:33 | 显示全部楼层
要看电路设计者的意思了,如果是精确匹配的电阻或电阻阵列,你肯定不能从上面走线了,模拟电路对这些要求较高。有些工艺甚至还有屏蔽层。
如果是一般的电阻,走点线过去也没什么影响了。还有就是尽量走高层金属(M2及以上),这样影响会小一点。
发表于 2011-9-29 11:14:23 | 显示全部楼层
至少poly电阻上面尽量不要走metal1,这两层离得太近,离衬底也很近,寄生参数很多很高。
发表于 2011-9-29 15:01:10 | 显示全部楼层
模拟电路一般是不走线的,尤其是在匹配要求很高的情况下,最好还能在电阻上做隔离层
发表于 2011-9-30 00:47:37 | 显示全部楼层
回复 1# 04072081


    在上方走線會有寄生的問題,盡量別在元件上方走線
发表于 2011-10-14 13:10:19 | 显示全部楼层
终于明白为什么要match的电阻上不能走线了!多谢!
发表于 2011-10-16 22:08:27 | 显示全部楼层
在需要匹配的模拟电路器件上走线会影响匹配性能
1. 金属引线引起的应力
应力会改变沟道中载流子迁移率,从而改变MOS管gm 应力还会通过压阻效应改变多晶硅电阻的阻值
2.金属引线中的钽对氢气退火工艺的影响
常规铝互联工艺或者高阶铜互连工艺都采用钽做diffusion barrier, 钽对氢气有很强的吸附作用。M1、M2层的钽会把原本用于消除MOS管栅极界面态的氢气吸附,造成MOS管阈值电压的波动,从而影响匹配

有三篇文章楼主可以看一下,见 http://bbs.eetop.cn/viewthread.p ... p;page=1#pid5074089
发表于 2011-10-18 10:13:33 | 显示全部楼层
楼上的 解释很清楚了。

我也学习
发表于 2011-10-26 10:38:33 | 显示全部楼层
学习了,谢谢!
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