求助关于LDO输出不对的问题。。。

jason1988 · 发表于 2011-10-13 12:09:52

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在芯片流片后测试LDO的输出与仿真的相差很大。LDO总体框图如下：未命名.jpg

。（1）其中基准源已经确保1.2V，（2）反馈电路在5V的输出时候，反馈点电压是1.7822V，基本满足反馈的要求。（3）运放的环路增益有60db，相位裕度有50°。（4）功率管的尺寸是500/1。
我期望的是LDO稳定输出3.3V，在5V供电下。。
但是实际测试的时候LDO的输出数据如下：
1）VDD=5v LDO=3.85V
2) VDD=4.5V LDO=3.70v
3) VDD=4v LDO=3.52V
一个是LDO输出不对，另外个LDO的输出和输入关系太大。。。这是什么原因呢。。。。求教啊~~~

lihaiqi208 · 发表于 2011-10-13 13:49:06

可能是运放失调，小人无知随便一说

gm-cfiltersz · 发表于 2011-10-13 14:49:02

感觉是环路上的增益出了问题（增益低了）。

jason1988 · 发表于 2011-10-13 16:45:48

回复 3# gm-cfiltersz

恩，感觉最大的可能就那个了。。有办法验证木。。。

gm-cfiltersz · 发表于 2011-10-13 19:57:39

能把运放结构画出来吗？还有测试的时候负载电路多大？

jason1988 · 发表于 2011-10-14 10:31:42

回复 5# gm-cfiltersz

运放的结构

，白色的点是静态工作点。空载测的。。

Arvinliu · 发表于 2013-10-21 11:56:04

不懂，路过看看

xiaowanzi88 · 发表于 2013-10-22 16:59:55

本帖最后由 xiaowanzi88 于 2013-10-22 17:01 编辑

1.输入差分对，面积太小，offset偏大
2.NMOS宿儒差分对，能保证Vth偏大情况下，处于深度饱和区吗？
3.LDO输出电流一直未知，如果空载下，这个LDO能够稳定吗？检查一下功率管，估计region=3吧！
4.未看见任何保护电路
5.“反馈电路在5V的输出时候，反馈点电压是1.7822V”，为什么不是1.2V左右？分压电子类型选用考虑大面积寄生二极管造成的漏电和匹配误差了吗？
这个结构如果是真实流片电路，只能说明，你们是土豪！

补充一点：你所使用的华虹NEC工艺有提供offset的测试数据，好好计算一下，一般等效输入offset在10mV以上！

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