求教几个画版时遇到的名词

敏兹 · 发表于 2011-9-18 11:04:14

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在用tsmc18工艺画版时，里面遇到了od,diff,nimp的图层，我想知道的是，od是否等于diff?或是等于nimp?mos管的SD区到底是od还是diff?
nimp是用作什么？
感觉guide里面说得摸棱两可的。

question23 · 发表于 2011-9-18 16:03:29

你说的od应该是和diff一样的，就是有源区，名字不一样而已。
nimp从名字上看是注入区，其实我觉得应该是场氧区的取反，也分为p和n。其中的面积内生产有源器件。
半导体物理很久没看了，可能说的不准确，你参考。

ganggang5678 · 发表于 2011-9-18 18:34:58

od=oxide diff=diffusion nimp= n type implant
能不能把tsmc。18的design rule给小弟发一份 tot87@163.com

cw佛学 · 发表于 2011-9-18 22:18:19

od是场氧化层，diff是扩散，nimp是n注入。od和diff、nimp是不一样的，od抑制鸟嘴效应。diff是扩散区，然后在其上注入nimp或者pimp就形成SD区。

question23 · 发表于 2011-9-19 11:08:33

本帖最后由 question23 于 2011-9-19 11:29 编辑

回复 4# cw佛学

OD控制鸟嘴效应的？过去还真不知道，我认为imp控制鸟嘴。我再查查。多谢了。但是我在tsmc18中没有看到OD层，只有OD2层，而这一层看起来是区分高/低压管子的。

敏兹 · 发表于 2011-9-19 12:29:49

od=oxide diff=diffusion nimp= n type implant
能不能把tsmc。18的design rule给小弟发一份
ganggang5678 发表于 2011-9-18 18:34

登录/注册后可看大图

不行啊，我自己都只能用，在公司拷不出来。。

敏兹 · 发表于 2011-9-19 12:37:21

od是场氧层的话，就是LOCOS生成的那层起隔离作用的厚氧化层吧？那怎么就等于diff了呢？
还是说od是整个nimp注入区之上的薄的二氧化硅？

cw佛学 · 发表于 2011-9-19 23:01:46

不好意思！昨天说错了。我以为.18是locos工艺，所以才那么说的。今天看了一下相关资料，才知道它是STI工艺。od是薄栅氧，diff是扩散，nimp是注入。od和diff是一样的。
谢谢，请指正！

cw佛学 · 发表于 2011-9-19 23:06:04

回复 5# question23

不好意思！昨天误以为tsmc.18的是locos工艺了。

skchen_001 · 发表于 2011-12-7 17:49:28

每个工艺应该会给你PDK吧，你去看看每个图层是怎么命名的。

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