帮我看看一个工艺流程是啥意思

timku2011

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    你要是能告诉我是什么工艺的话，我可以帮你分解

yuluw2004

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    tsmc18 brief process flow
1       WF1 START(准备wafer)
1-1    DNW1 PH   (DNW 光刻)
1-2    DNW1 IM    (DNW注入)
1-3    IM1 AN1      (注入褪火)
2       PAD1 OX     (生长垫氧化层或初氧)
3       SN1 DP       (淀积氮化硅)
4       OD1 PH       (有源区光刻)
5       OD1 ET
6       TRCH1 OX
7       TRCH1 PH
8       TRCH1 ET
9       TRCH1 CMP (化学机械抛光)
10     SN1 RM
11     SAC1 OX
12     PWL1 PH
13     PWL1 IM
14     VTN1 IM
15     VTN1 PH2
16     NAPT1 IM1
17     NWL1 PH2
18     NWL IM1
19     N-FLD1-IM1
20     VTP1 PH
21     VTP1 IM1
22     GATE1 OX
23     GATE1 OX
24     VT1 PH
25     GATE1 ET
26     GATE2 OX
27     PO1 DP
28     PO1 PH
29     PO1 ET
30     N-LDD1 PH
31     N-LDD1 IM
32     N-LDD1 IM
33    P-LDD1 IM
34     P-LDD1 IM
35     P-LDD1 IM
36    P-LDD2 PH
37    P-LDD2 IM
38    N-LDD2 PH1
39   NLDD2 IMP1
40   SW1 DP
41   SW1 ET

yuluw2004

42     N+S/D1 PH
43     N+S/D1 IM
44     N+S/D1 DI
45     P+S/D1 PH
46     P+S/D1 IM
47     HP-PHO
48     HP-IMP
49     ESD1 PH
50     ESD1 IM
51   RPO DP
52   S/D1 DI
53   RPO1 PH
54  RPO1 ET
55 SALII DP
56  SALII FORM
57  SALII FORM
58  SALII FORM
59 ILDBPTS1 1(磷硅玻璃)
60 ILD CMP
61 CO1 PH
62 CO1 ET
63 WPL1 BAR
64 WPL1 DP
65 WPL1 CMP
66 ME1 SPU
67 ME1 PH
68 ME1 ET
69 VA1OX1 DP
70 VA1 CMP
71 VA1 PH
72 VA1 ET
73 WPL2 BAR
74 WPL2 DP
75 WPL2 CMP
76 ME2 SPU
77 ME2 PH
78 ME2 ET
79 VA2OX1 DP
80 VA2 CMP
81 VA2 PH
82 VA2 ET
83  WPL3 BAR
84 WPL3 DP
85 WPL3 CMP
86 ME3 SPU
87 ME3 PH
88 ME3 ET
89 VA3OX1 DP
90 VA3 CMP
91 VA3 PH
92 VA3 ET
93 WPL4 BAR
94 WPL4 DP

yuluw2004

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    95 WPL4 CMP
96 ME4 SPU
97 ME4 PH
98 ME4 ET
99 VA4OX1 DP
100 VA4 CMP
101 VA4 PH
102 VA4 ET
103 WPL5 BAR
104 WPL5 DP
105 WPL5 CMP
106 ME5 SPU
107 CTM1 DP
108 CTM1 SPU
109 CTM1 PH
110 CTM1 ET
111 ME5 PH
112 ME5 ET
113 VA5OX1 DP
114 VA5 CMP
115 VA5 PH
116 VA5 ET
117 WPL6 BAR
118 WPL6 DP
119 WPL6 CMP
120 TME SPU
120-1 TME SPU
121 TME PH
122 TME ET
123 PA1OX1 DP(钝化层)
124 PA1SN1 DP
125 PA1 PH
126 PA1 ET
127 ALLOY1 1
128 WAT2 1

yuluw2004

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我把整个流程都贴上来了.
有空讲解一下吧.
一些缩写的解释(我自己琢磨的,不对的地方请补充)
PH 光刻
IM  注入
AN  褪火
OX  氧化
DP  淀积
ET  刻蚀
CMP 抛光
BAR  ???
SPU  溅射

rainlym

2 PAD1  OX    (110A,不知道是干啥,难道就是在硅片上涨一层氧化层)：这个作为下面的SIN的缓冲层，SIN stress很大；
3 SN1 DP    (1625A,这个也不知道是干嘛?大概意思是淀积一层什么呢?还很厚.) 这个用来控制STI to ACT的step high和STI 的profile，还用来做STI CMP的stop layer
4 OD1 PH    (这个是有源区光刻吗? you are right
5 OD1 ET     (STI etch)
6 TRCH1 OX