在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 5059|回复: 16

[求助] 芯片内部降压处理

[复制链接]
发表于 2011-7-22 09:34:48 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
小弟目前遇到一个问题,目前有一个模拟IP供电是3.3V 1.9mW的,也就是约600uA的工作电流,但是整个芯片必须工作在5V或3.3V,整体功耗非常低,所以内部会有控制这个IP何时打开何时关闭。
    如果工作在5V,那么芯片内部需要一个降压电路。如果工作在3.3V就不需要降压电路了,各位大大有没有比较好的建议来实现,有电路更好。

    谢谢!
发表于 2011-7-22 09:41:39 | 显示全部楼层
自己设计一个3.3V-5V输入,固定电压输出的LDO就可以解决这个问题!为什么纠结于一个完全不合适的IP?
 楼主| 发表于 2011-7-22 16:16:43 | 显示全部楼层
重新设计一个ADC太花时间了啊,只好用IP了。。。
发表于 2011-7-22 16:50:56 | 显示全部楼层
直接做一个3.3v输出的ldo吧
发表于 2011-7-22 17:27:25 | 显示全部楼层
就是嘛
 楼主| 发表于 2011-7-22 20:20:23 | 显示全部楼层
恩恩,有没有结构简单一点的LDO?
发表于 2011-7-22 20:30:30 | 显示全部楼层
最简单的LDO结构就成!OTA+bypass
发表于 2011-7-23 23:13:18 | 显示全部楼层
最简单就用源跟随器呀,两级,一是N管VTH,5V的0.6~0.7V左右吧,加个大负载电阻,电流也不大,电阻上电压也就4.3V,再加到二级NMOS栅上,输出也就3.6V了,加个大点的电容,0.6mA电流,很容易就满足了。
发表于 2011-7-24 22:18:06 | 显示全部楼层
负载电路的速度问题呢
发表于 2011-7-24 22:23:10 | 显示全部楼层
NMOS做跟随速度应该足够,自己仿一下,还有负载电流也不大,尺寸很小的,响应也快
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-15 13:26 , Processed in 0.024191 second(s), 9 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表