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[原创] 后端面试--每日一题(048)

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发表于 2011-7-5 09:47:27 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 陈涛 于 2011-7-5 09:48 编辑

Does a standard cell leakage power depend on its input patten?
标准单元的leakage功耗与其输入端的状态有关吗?

难度:2

因为要离开几天,把后几个问题一起发了
发表于 2011-7-5 10:03:49 | 显示全部楼层
有,这就是为什么一般输入不能悬空的原因
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 楼主| 发表于 2011-7-5 10:15:40 | 显示全部楼层
除去这种违例,输入为正常的0/1是否对leakage power有影响?
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发表于 2011-7-5 12:31:18 | 显示全部楼层
有影响的。根据衬底偏置效应,阈值电压与Vbs有关。对于nmos来说,一般B级电平固定接地。s级电平越高,阈值电压越小。相应漏电流越大。
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发表于 2011-7-6 09:15:07 | 显示全部楼层
很多关于leakage power的问题都不会阿!!!
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发表于 2011-7-6 14:27:57 | 显示全部楼层
我觉得肯定是有,但是似乎应该是跟翻转频率有关,而不是单纯的输入输出状态
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发表于 2011-7-6 23:04:31 | 显示全部楼层
翻转率神马的是影响internal power的,其单位是uW/MHz
leakage power,根据我观察TSMC的文档说明中,貌似是个常数...
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 楼主| 发表于 2011-7-8 14:04:00 | 显示全部楼层
4楼正确
其实这个问题,去看下做得比较好的lib文件就可以知道
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发表于 2011-7-8 22:08:06 | 显示全部楼层
有关系,跟输入的transition有关的,transition越大,漏流功耗也越大的
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发表于 2011-7-22 17:09:26 | 显示全部楼层
回复 8# 陈涛


    四楼好像没有正面回答这个问题吧。
    输入在gate上,std cell的source跟bulk肯定是接在一起的啊,
    所以不存在什么body effect问题。
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