集成电路的各种工艺是如何定义的？

ljk0596

知道集成电路有三种工艺，即 Bipolar,COMS,BiCMOS ，但是很疑惑这三种工艺是如何区别的。（注意：是工艺的却别，而非器件。）
有人说，是按掩膜层的多少区分的。如果真是这样的话，那掩膜层由多到少排序应为  BiCOMS>Bipolar>CMOS  。这样我是不是可以认为在Bipolar 工艺下，我少用几层掩膜层，掩膜层的形状，掺杂深浅做些调整，是否就可做出CMOS器件呢？如果不是这样的话，应该是怎样区别它们的呢，求解，万分感谢！

xuexue0xue

Bipolar 工艺下,做CMOS可以做，但是各项参数肯定没人能接受。  （注意：是工艺的却别，而非器件。）  这句？？？ 因为要做的器件不同，才采用了不同的工艺，掺杂 退火 氧化一系列的不同。

ljk0596

回复 2# xuexue0xue


    为什么Bipolar工艺下做CMoS，参数会不让人接受？我把各个步骤都做好不就行了嘛！

mylihua

在有Bipolar+CMoS工艺称为BICMOS工艺。而不是Bipolar!

shelbykuo

回复 1# ljk0596


    如果要找工艺代工时，基本上先考虑成本，特别是光罩层数、特殊层模块、最小CD。
目前制作Bipolar, BiCMOS, CMOS, Flash的工艺步骤看似相近，特别是在教科书上，但是实际生产中差异颇多。唯一比较标准化的是CMOS的部份。其他的就必须把各种因素最佳化，提高性/价比。否则客户不会用的。 特别是模拟器件的从Layout大小/间隔, 掺杂量/深度/元素，每一层的厚度，每层的最小CD，一直到Floor plan，都是必须设法最佳化，或至少优化过。
所以，对线上操作员是相似，对制程工程师是既有标准模块也有特殊工艺。对开发工程师那就是不同行业，跨行后得花1年才能入门，如果幸运得有机会的话。

donaldz

Bipolar,COMS,BiCMOS这三种工艺分别是：只做bipolar得工艺，不做MOS；只做MOS的工艺，不做BIpolar；既做bipolar又做MOS的工艺。三者不只是用的mask不一样，而是工艺根本不同的，做出来device的model也不同。

82314272

BiCOMS>Bipolar>CMOS  
这个排序好像有问题，应该是 BiCOMS>CMOS >Bipolar，所以在Bipolar工艺基础上要加几快光罩就可实现CMOS器件，那么此时这个工艺就叫做BICMOS工艺（只是名字不一样而已），这种情况下Bipolar和CMOS的特性需要折中以达到设计要求。

lodestar6666

（注意：是工艺的却别，而非器件。）
这句话是关键。不从器件角度考虑则几种工艺区分无从谈起！
bipolar，CMOS，bicmos虽然是说工艺，但其根本还是在于器件。不同类型的工艺能实现的器件结构不同。
没学过半导体物理和器件的同学补补课吧！不是说能做NPN结构就是NPN管，能做源漏栅就是MOS管，各种器件要满足电学特性要求则对其结构都是有要求的，结深、掺杂浓度、尺寸、距离等等。
比如CMOS工艺中的N扩散、P衬底、N阱形成的NPN结构是NPN管，但其放大倍数、耐压、频率特性等无法满足要求，不能用于电路设计中，要想在标准CMOS工艺中实现NPN管必须增加工艺步骤，增加掩膜板数，这时工艺就成为了BICMOS工艺。

xin123

楼上讲的很不错

icfbicfb

bipolar不清楚mask 是多少层的， 有人能说下么

cmos logic是最简单的，也是目前最流行的， 也就
nw, aa,  pw ,  nwh , pwh ,  gate ,  sab , esd ,  nplus , pplus ,
ct ,  m1, v1 , m2 , v2 , .... mt, vt , pa ,  
这些

cmos analog会多一些dnw， HRP ,  mim ,  
cmos flash会多很多，  至少7~8层，  很复杂，