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楼主: zhifj86

[求助] 关于ESD GGNMOS溃通问题

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发表于 2010-11-15 22:43:00 | 显示全部楼层
这个最好结合device的数据来比较才行 做foundry的人不一定意识到这一点的
发表于 2010-12-18 15:47:13 | 显示全部楼层
这个很简单啊,foundry会提供ESD implant这一层,在GGNMOS放入drain端打一层ESD implant,这会使GGNMOS的breakdown 电压低于gate oxide的breakdown电压啊。
发表于 2010-12-29 00:01:38 | 显示全部楼层




    在这个GGNMOS加了ESD IMPLANT为什么会使其耐压低于后面的N ,PMOS的?请详解。
发表于 2011-8-2 18:04:13 | 显示全部楼层
我也了解了
发表于 2011-8-17 14:45:32 | 显示全部楼层
认真努力学习 谢谢
发表于 2021-8-2 16:32:11 | 显示全部楼层


tiancai2008 发表于 2010-12-18 15:47
这个很简单啊,foundry会提供ESD implant这一层,在GGNMOS放入drain端打一层ESD implant,这会使GGNMOS的br ...


公司要考虑成本的,多一层就多一部分成本,老板想的是怎么减少mask,而不是增加。
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