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[求助] silvaco模拟INGAAS PIN 探测器问题

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发表于 2010-8-23 12:16:48 | 显示全部楼层 |阅读模式

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请教高手,模拟INGAAS PIN 探测器时,除了吸收层材料需要设置光学参数外,上下INP 层的吸收参数需要设置吗?如何设计?急盼
发表于 2010-8-23 17:18:58 | 显示全部楼层
发表于 2010-8-23 17:20:48 | 显示全部楼层
 楼主| 发表于 2010-8-27 19:37:01 | 显示全部楼层
ewrwqr q
发表于 2010-8-29 09:10:40 | 显示全部楼层
看不懂
发表于 2010-9-29 10:17:11 | 显示全部楼层
帮忙顶!
发表于 2011-3-31 14:51:13 | 显示全部楼层
帮忙顶 也想看
发表于 2011-12-4 12:12:04 | 显示全部楼层
帮忙顶,想学学
发表于 2011-12-12 20:50:19 | 显示全部楼层
ghokidfhj hjpokjg qsdkgqsdyudfqs qsdighqzdfiqs
发表于 2013-7-21 16:23:59 | 显示全部楼层
回复 9# micro_ele
我不是做这个方面的,仅供参考。这个图挺有名的,就是bandgap与晶格常数的关系。实线代表direct bandgap。
InP就是属于这类的,所以光先通过这层的话,就应设吸收参数。

Bandgap 晶格常数

Bandgap 晶格常数

附上从Google找的吸收参数图,不一定完全正确。

吸收系数

吸收系数
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