请教一下为何在带隙电路中多用PNP 而不用NPN

lier1387 · 发表于 2009-1-12 16:22:07

衬底为p，这样比较方便利用 pdiff_in_nwell, nwell, sub构成纵向pnp

freeray · 发表于 2009-1-23 14:07:27

學習學習!

zhujun134 · 发表于 2009-1-29 21:29:42

学习学习

rocksyh · 发表于 2009-2-1 16:36:37

学习了！

zimu_li · 发表于 2009-2-5 21:43:37

原来如此！

dusy · 发表于 2009-2-5 22:34:22

长知识了！

flygress · 发表于 2009-2-6 16:14:11

因为是CMOS工艺，用VPNP不会增加层次而增加成本。。

feiying68 · 发表于 2010-3-16 23:06:10

这个是工艺的问题，pnp管可以在标准cmos工艺中制造啊，npn不行

abonic · 发表于 2010-3-17 19:57:11

but now almost all the sub-0.25u technology is using deep n well technology, means we can use npn now? which one is better from noise and matching perspective?
adanshen 发表于 2009-1-11 07:35

登录/注册后可看大图

不知道深阱在体内的一致性如何呢
ps：有几个语法错误
tgaayd 发表于 2009-1-11 11:45

登录/注册后可看大图

这两个问题提得很好，值得探讨
目前Mixed-Signal CMOS工艺和RF CMOS工艺都有DNW，
确实存在npn，就是不知道性能咋样，请高手指教

realvictor · 发表于 2010-3-19 00:09:55

mixed signal cmos 工艺里的npn一般比pnp性能好很多.实际上非常头疼的问题是怎么能把pnp性能提高

这两个问题提得很好，值得探讨
目前Mixed-Signal CMOS工艺和RF CMOS工艺都有DNW，
确实存在npn，就是不知道性能咋样，请高手指教
abonic 发表于 2010-3-17 19:57

登录/注册后可看大图

账号		自动登录	找回密码
密码			注册

请教一下 为何在带隙电路中多用PNP 而 不用NPN

站长推荐 /1

请教一下为何在带隙电路中多用PNP 而不用NPN