GGNMOS as ESD device

zhukh · 发表于 2009-12-26 18:28:46

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i wrote a paper about Gate grounded NMOS as ESD protection device in Chinese. it's very basic but worths you to spend a couple of minuites to review. isn't it?
you are welcome to discuss any related question with me.

andyjackcao · 发表于 2009-12-26 21:42:28

Good guy;

sjxu007 · 发表于 2009-12-28 09:11:55

thanks

leonken418 · 发表于 2009-12-28 09:42:44

ddddddddddddd

mfxf · 发表于 2009-12-29 21:42:24

摘要有嘛？

twfly · 发表于 2009-12-29 22:48:52

论文还是书？？

kanbin · 发表于 2009-12-30 00:17:32

thank!

zhukh · 发表于 2009-12-30 09:57:23

6# twfly

论文

zhukh · 发表于 2009-12-30 10:02:35

摘要有嘛？
mfxf 发表于 2009-12-29 21:42

登录/注册后可看大图

摘要：本文基于某0.18μm‐CMOS 工艺制程的1.8V NMOS 器件，从工艺的角度并用TLP测试系统对栅极接地的NMOS（GGNMOS）ESD 器件进行比较分析。介绍了SAB 和ESD 注入对GGNMOS的性能影响。影响GGNMOSESD 性能的瓶颈是均匀开启性。在GGNMOS 版图等其它特征参数最优的前提下，采用SAB 能改善其均匀开启性，从而大大改进ESD性能。GGNMOS 的瞬态触发电压在7V 左右，不会造成栅氧可靠性威胁，采用PESD 并非必须。

keken · 发表于 2010-2-3 13:34:14

thank for sharing

[原创] GGNMOS as ESD device

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