在线咨询 切换到宽版
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网

 找回密码
 注册

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

搜帖子
查看: 14917|回复: 44

[原创] GGNMOS as ESD device

[复制链接]
发表于 2009-12-26 18:28:46 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

×
i wrote a paper about Gate grounded NMOS as ESD protection device in Chinese. it's very basic but worths you to spend a couple of minuites to review. isn't it?
you are welcome to discuss any related question with me.

GGNMOS.pdf

669.85 KB, 下载次数: 505 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

发表于 2009-12-26 21:42:28 | 显示全部楼层
Good guy;
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2009-12-28 09:11:55 | 显示全部楼层
thanks
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2009-12-28 09:42:44 | 显示全部楼层
ddddddddddddd
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2009-12-29 21:42:24 | 显示全部楼层
摘要有嘛?
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2009-12-29 22:48:52 | 显示全部楼层
论文还是书??
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2009-12-30 00:17:32 | 显示全部楼层
thank!
回复 支持 反对

使用道具 举报

 楼主| 发表于 2009-12-30 09:57:23 | 显示全部楼层
6# twfly

论文
回复 支持 反对

使用道具 举报

 楼主| 发表于 2009-12-30 10:02:35 | 显示全部楼层


摘要:本文基于某0.18μm‐CMOS 工艺制程的1.8V NMOS 器件,从工艺的角度并用TLP测试系统对栅极接地的NMOS(GGNMOS)ESD 器件进行比较分析。介绍了SAB 和ESD 注入对GGNMOS的性能影响。影响GGNMOSESD 性能的瓶颈是均匀开启性。在GGNMOS 版图等其它特征参数最优的前提下,采用SAB 能改善其均匀开启性,从而大大改进ESD性能。GGNMOS 的瞬态触发电压在7V 左右,不会造成栅氧可靠性威胁,采用PESD 并非必须。
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2010-2-3 13:34:14 | 显示全部楼层
thank for sharing
回复 支持 反对

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条

手机版| 小黑屋| 关于我们| 联系我们| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2025-8-9 17:42 , Processed in 0.027076 second(s), 8 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表