讨论：电路设计中的过驱动电压Vod的选择

Young_W · 发表于 2009-8-23 22:12:04

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在模拟电路中常常需要设定过驱动电压Vod=Vgs-Vth，一些书中写选择大于200mV，不知在实际设计中应该选择多少？
个人觉得对于不同工艺Vod应该是不同的，在0.18um下大家都选择多少？选择的依据是什么？

buckaroo · 发表于 2009-8-23 22:45:51

输入管70~100mV左右，电流镜管200~300mV左右。
高了功耗大
低了就亚阈值区了，速度慢，bsim模型也不准。不过PSP模型可以。

Young_W · 发表于 2009-8-23 23:08:29

输入管设置在70~100mV之间，MOSFET可能处于弱反型，跨导也会降低，是否能说明下选择的依据？

confiope · 发表于 2009-8-24 09:20:33

原帖由 Young_W 于 2009-8-23 23:08 发表

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输入管设置在70~100mV之间，MOSFET可能处于弱反型，跨导也会降低，是否能说明下选择的依据？

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电流镜200~300mV，主要是考虑电流匹配，所以过驱动电压大

输入管低，主要是考虑电压匹配

Young_W · 发表于 2009-8-24 21:44:10

原帖由 confiope 于 2009-8-24 09:20 发表

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------------------------------------- 电流镜200~300mV，主要是考虑电流匹配，所以过驱动电压大输入管低，主要是考虑电压匹配

从匹配的角度来考虑是这样的，但在Baker的书中提到Vod选择Vdd的5％左右，在sansen书中从增益和和速度的角度考虑，在增益级选取150~200mV!感觉有点乱，没有找到一个统一的说法。不知大家在实际设计中都是怎么考虑的？

joh27 · 发表于 2009-8-25 20:39:31

帮顶，等待高人回答

vdslafe · 发表于 2009-8-25 22:00:19

原帖由 Young_W 于 2009-8-24 21:44 发表

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从匹配的角度来考虑是这样的，但在Baker的书中提到Vod选择Vdd的5％左右，在sansen书中从增益和和速度的角度考虑，在增益级选取150~200mV!感觉有点乱，没有找到一个统一的说法。不知大家在实际设计中都是怎么考虑的 ...

根据工艺和电源电压，具体问题具体分析，baker的书基本上是3.3V/5V时代的，5%vdd 肯定不适用于1V amp 设计

Young_W · 发表于 2009-8-25 22:45:37

原帖由 vdslafe 于 2009-8-25 22:00 发表

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根据工艺和电源电压，具体问题具体分析，baker的书基本上是3.3V/5V时代的，5%vdd 肯定不适用于1V amp 设计

在第二版中有短沟道（50nm）的设计，电源电压就是1V，也是采用这个原则

vdslafe · 发表于 2009-8-25 22:56:51

原帖由 Young_W 于 2009-8-25 22:45 发表

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在第二版中有短沟道（50nm）的设计，电源电压就是1V，也是采用这个原则

50mV Vod, 管子就是在subthreshold, 低速还好，高速的话，管子的带宽太低了。
很怀疑他重写了这部分

不过我也没看过他的第二版

Young_W · 发表于 2009-8-27 21:20:41

期待大家讨论！！！！！

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