回收（IC）全新原装ADS1246IPWR TPS22916CNYFPR GD25LB256ELIGR

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ADS1246IPWR，这是一款适用于精密传感器测量且具有 PGA 的 24 位 2kSPS 单通道 Δ-Σ ADC

ADS1246IPWR是高度集成的高精度 24 位模数转换器 (ADC)。这些器件具有板载低噪声可编程增益放大器 (PGA)、精密的 delta-sigma (ΔΣ) ADC，带单周期稳态数字滤波器，以及内部振荡器。ADS1246IPWR器件为包括热电偶、热敏电阻和电阻温度探测器 (RTD) 在内的温度传感器应用提供了完整的前端解决方案。

技术参数：
产品种类: 模数转换器 - ADC
系列: ADS1246
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSSOP-16
分辨率: 24 bit
通道数量: 1 Channel
接口类型: SPI
采样比: 2 kS/s
输入类型: Differential
结构: Sigma-Delta
模拟电源电压: 2.7 V to 5.25 V
数字电源电压: 2.7 V to 5.25 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 105 C
DNL - 微分非线性: +/- 1 LSB
特点: 50/60 Hz Rejection, Oscillator, PGA, Temp Sensor
高度: 1 mm
INL - 积分非线性: 15 ppm
长度: 5 mm
转换器数量: 1 Converter
工作电源电压: 2.7 V to 5.25 V
功耗: 2.3 mW
参考类型: External
电源电压-最大: 5.25 V
电源电压-最小: 2.7 V
宽度: 4.4 mm
单位重量: 62 mg

应用
温度传感器测量： 热电阻、热电偶和热敏电阻
压力测量
流量计
工厂自动化和过程控制

明佳达（IC）全新原装ADS1246IPWR TPS22916CNYFPR GD25LB256ELIGR
TPS22916CNYFPR是一款小型单通道负载开关，采用低漏电 P 沟道 MOSFET 实现最小的功率损耗。高级栅极控制设计支持低至 1V 的工作电压，且增加超小的导通电阻和功率损耗。
多个时序选项可支持各种系统负载条件。对于高容性负载，C 版本的慢速导通时序可更大限度减小浪涌电流。而在低容性负载中，B 版本的快速时序可减少所需的等待时间。
技术特性：
输入电压范围 (VIN)：1 V 至 5.5V
最大持续电流 (IMAX)：2A
导通电阻 (RON)：
5V VIN = 60mΩ（典型值）、100mΩ（85°C 最大值）
1.8V VIN = 100mΩ（典型值）、150mΩ（85°C 最大值）
1V VIN = 200mΩ（典型值）、325mΩ（85°C 最大值）
超低功耗：
导通状态 (IQ)：0.5µA（典型值）、1µA（最大值）
关闭状态 (ISD)：10nA（典型值）、100nA（最大值）
TPS22916BL/CL/CNL (ISD)：100nA（典型值）、300nA（最大值）
ON 引脚智能下拉电阻 (RPD)：
ON ≥ VIH (ION)：10nA（最大值）
ON ≤ VIL (RPD)：750kΩ（典型值）
C 版本的慢时序可限制浪涌电流：
5V 开通时间 (tON)：5mV/µs 时为 1400µs
1.8V 开通时间 (tON)：1mV/µs 时为 3000µs
1V 开通时间 (tON)：0.3mV/µs 时为 6500µs
B 版本的快速时序可减少等待时间：
5V 开通时间 (tON)：57mV/µs 时为 115µs
1.8V 开通时间 (tON)：12mV/µs 时为 250µs
1V 开通时间 (tON)：3.3mV/µs 时为 510µs
常开的真反向电流阻断 (RCB)：
激活电流 (IRCB)：–500mA（典型值）
反向泄漏电流 (IIN,RCB)：–300nA（最大值）
快速输出放电 (QOD)：150Ω（典型值） （N 版本无 QOD）
低电平有效使能选项（L 版本）

典型应用
可穿戴
智能电话
平板电脑
便携式扬声器


GD25LB256ELIGR是一款NOR闪存芯片，支持SPI接口，适用于高性能和安全需求的嵌入式系统设计。
技术参数：
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
技术：FLASH - NOR（SLC）
存储容量：256Mb
存储器组织：32M x 8
存储器接口：SPI - 四 I/O，QPI，DTR
时钟频率：166 MHz
写周期时间 - 字，页：70µs，1.2ms
访问时间：6 ns
电压 - 供电：1.65V ~ 2V
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：32-XFBGA，WLCSP

特性
支持四线SPI、QPI（四线并行接口）和DTR（双数据速率传输）模式
读取访问时间：6 ns
写入周期：70 µs（字）/1.2 ms（页）
低功耗设计，适用于工业级应用

应用场景
GD25LB256ELIGR适用于需要高速读写和可靠存储的场景，如工业控制、物联网设备、智能卡等。