关于多finger与multiplier的版图画法

acroX

下图是一对1：3的电流镜，由于工艺限制我采用六个MOS管串联，小的MOS管中Multiplier有4个，大的为12个，我不清楚的是：layout自动生成的每个间距为1um，同时查阅tsmc的DRC手册，要求不同电位的NWELL间距应为1um，我以为不论是一个MOS管的multiplier1~4还是不同MOS管间距应该都为1um？还是说同一个MOS管里的4个MULTIPLY可以挤在一起？不用保证间距为1um？

发财发财

你这个是同一个管子，是属于同一个电位，不用考虑这种问题，也不用保证1um这种问题，可以S\D合并，也可以满足DRC的前提下拉开S\D，因为你的NW要把这同一个管子盖满

acroX

   

发财发财 发表于 2025-11-20 14:31
你这个是同一个管子，是属于同一个电位，不用考虑这种问题，也不用保证1um这种问题，可以S\D合并，也可以满 ...

感谢您的回复，我后来想了下，感觉可以把左侧共24个cell都连起来，保证漏源的连接顺序应该也可以。

acroX

   

发财发财 发表于 2025-11-20 14:31
你这个是同一个管子，是属于同一个电位，不用考虑这种问题，也不用保证1um这种问题，可以S\D合并，也可以满 ...

不知道能否再问您一个问题，由于我的finger数太多，导致连接G极非常麻烦，能否如图中右侧的方式进行连接？但感觉这样会导致在中间的栅极上多覆盖一层metal，这样会导致寄生加大吗？

tt393949660

poly作为导线，阻抗很高

发财发财

   

acroX 发表于 2025-11-20 18:44
不知道能否再问您一个问题，由于我的finger数太多，导致连接G极非常麻烦，能否如图中右侧的方式进行连接 ...

如果是大工艺，这样用poly连接起来，且电路后仿也没问题，那就可以这样用poly走线，如果工艺小，建议不要用poly走线，poly的寄生电阻很大。

acroX

   

发财发财 发表于 2025-11-21 09:25
如果是大工艺，这样用poly连接起来，且电路后仿也没问题，那就可以这样用poly走线，如果工艺小，建议不要 ...

明白了，那我还是用Metal1+通孔连接各栅极吧，谢谢！