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查看: 387|回复: 9

[求助] 一个二级运放的分析

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发表于 前天 23:54 来自手机 | 显示全部楼层 |阅读模式
悬赏10资产未解决

问题:
1、差动负载为什么用M3、M4?为什么不用电阻负载、电流源做负载?
     可能原因:M3、M4组成二极管负载线性度更高;电流原做负载需要额外偏置和共模反馈,电路更复杂。
2、大电阻R1、R2作用是什么?
3、第二级放大器为什么用源极负反馈结构?
     可能原因:源极负反馈降低了增益,但提高了线性度;R5和R6为了R3和R4对称(可能吧)

IMG_20251119_230556.jpg
发表于 昨天 09:06 | 显示全部楼层
本帖最后由 its_aleix 于 2025-11-20 09:17 编辑

个人理解
1、不用大电阻是因为在高增益下,MOS可以很大程度节省面积,其次MOS的匹配性要比电阻好。电流源负载的话应该就是需要额外的偏置电路(有条件额情况下,我认为电流源负载是更好的)
2、R1和R2看起来可能是提高稳定性,避免栅压变化太快导致的不良影响。
3、R5和R6我觉得单纯是为了匹配性考虑的,增益上是没降低的,Vout看进去的Rout始终是连个ro/2。
个人拙见了。。。。等待大佬解答

点评

👍🏻牛,很有道理  发表于 昨天 09:29
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发表于 昨天 10:14 | 显示全部楼层
第一级是全差分,如果做电流源负载,不但要提供偏置,还要做共模反馈。diode接法可以稳定输出共模,但是会造成第一级增益严重下降。于是有了R1和R2,既保证了输出工作点稳定,同时使得第一级增益从gm1/gm3提高到gm1(ro1//ro3//R1)。R5和R6确实是为了匹配考虑的。

点评

有道理啊  发表于 昨天 13:10
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发表于 昨天 13:33 | 显示全部楼层
1)可以理解M3是MOS二极管负载,线性度好;M3和与R3对应的MOS管是类电流镜结构,印象中好像是Allen的书提到过电流镜中MOS管栅极这个电阻改善电流镜频率特性,带宽Double;
2)R4级联+线性化,也提供高阻抗;Vout要高阻抗,PMOS也得Cascode高电阻;PMOS电流镜的输入端也得类似调整;
仅供参考。
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 楼主| 发表于 昨天 13:41 | 显示全部楼层

第一级放大器或许可以参考拉扎维书中的分析
PixPin_2025-11-20_13-40-31.png
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发表于 昨天 14:35 | 显示全部楼层


   
castrader 发表于 2025-11-20 10:14
第一级是全差分,如果做电流源负载,不但要提供偏置,还要做共模反馈。diode接法可以稳定输出共模,但是会 ...


R1,R2只影响ac,不影响dc增益吧
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发表于 昨天 14:36 | 显示全部楼层


   
hgw94 发表于 2025-11-20 14:35
R1,R2只影响ac,不影响dc增益吧


准确说法是:只影响AC增益,不影响DC工作点。

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发表于 昨天 21:49 | 显示全部楼层
第二级没有电流镜偏置吗?那工作点是不是PVT稳定性较差?
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