VCO开环测试频谱和相位噪声性能异常，期待讨论

芯都在珂身上

如题所示，SMIC55nm工艺流片回来一个LC-VCO，是最简单的N管交叉耦合结构，为了测试方便，尾电流源用了VDAC偏置给码。输出BUFFER是一个带电阻的共源结构给到GSG PAD


现在测试VCO的直流功耗能对应是。调谐范围6.1~7.7GHz，和后仿真结果基本能对应上，甚至更宽一些。输出到频谱仪的载波功率大概是-5dBm,考虑到线损大概也能对应上。但是相位噪声性能相比仿真下降了大约20dB，还在频偏大概10M~30MHz位置(与谐振频率相关，不是固定的，目前还没发现规律）出现了明显杂散。如下图所示，RBW和VBW设置为620kHz

                               
登录/注册后可看大图

一开始怀疑是两方面的问题，一个是VCO的供电由电压源过LDO给出，这个LDO的噪声性能会对输出有影响。尝试在VDD-GND之间并了一个50uF级别的电容没有明显改善。另外怀疑片外直接由电压源给的VTUNE不干净，尝试直接把VTUNE断路，也没有明显的改善。现在不知道进一步该排查哪里，恳请前辈们不吝赐教！


另外自己还想补充一点：这次流片出现了一个问题是电感线圈底部没有加PSUB层，按理来说和衬底之间的寄生EMX没提取出来，但是频率并没有降低。有点怀疑会不会是衬底噪声耦合到电感上的影响？

芯都在珂身上

频谱是这样