tsmc bcd 180工艺的层次定义、派生和运算关系的求助

TIM3432

有版图和工艺上的疑惑想向各位讨教。目前我是在用TSMC BCD 180的工艺设计一个雪崩二极管器件，工艺库里没有对应的layout和原理图，想自己直接绘制layout，通过手册来推测掺杂区域的深度，浓度，击穿电压等，以此来设计所需要的雪崩区域深度，雪崩电压，以及防止其侧面击穿的保护结构等。目前我是参考pdk里给出的pn结的版图，但想改动一些其中一些阱掺杂，比如在这里的SHP周围，定义出来一圈隔离的更低掺杂浓度PW隔离区域，如Pepi，或者PSUB区域。
我想做这样的改动，但是搞不太懂手册里各个层次的运算关系，我很担心的是盖错了一些层次会使得工艺制造过程中就变成其他不想要的阱了，主要是层次logic operatation不知道怎么分析。
向各位请教一下！