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[求助] VCO KVCO测试变小的求助。如能给出靠谱的分析,可以加大感谢力度!!!

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发表于 4 天前 | 显示全部楼层 |阅读模式
悬赏500资产未解决
本帖最后由 guj_tju 于 2025-10-29 07:49 编辑

我在SMIC CMOS 40nm工艺上,设计了一款VCO,采用PVAR25的器件作为变容管,变容管两头接VCO的电感,偏置在1.6V左右,中间接VTUNE。
前后仿真,KVCO约为100MHz/V@10GHz。但是实测KVCO只有20MHz/V。
工作十余年,也有较多的分析电路的经验,但一两个月了,实在是找不到什么原因。
我主要做了以下分析:
(1)VTUNE无明显漏电,内部有ADC检测,VTUNE电压进去了,该检测电路也比较成熟;
(2)VCO结构在UMC 28nm用过,未对比出明显差异;VAR的画法上,对比了UMC 28nm,未发现异常;
(3)VTUNE从0~2.5V扫描,整体都低;
(4)内部VTUNE有两档,都低了;
(5)VAR电容确实源漏线画细了,但是内部6个VCO几乎是一致现象,测了几片现象一致,如果是烧断了是否现象会一致?
(6)整个芯片比较复杂,除了该处未发现明显工艺异常,MPW缺少MASK吗?但是PVAR未发现有特殊的MASK。
(7)EMX+calibre仿真,频率整体偏差在3%以内,除了VAR部分,其它地方的频率实测和仿真拟合都非常好。
(8)smic相同器件model仿真和umc基本一致,例如同尺寸出来的CV曲线。曲线斜率和具体容值就差10%上下。

                               
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发表于 4 天前 | 显示全部楼层
没搞过10g,如果怀疑pvar model可以进model中比对,是否比umc/tsmc这些的model有少参数。
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 楼主| 发表于 3 天前 | 显示全部楼层


   
nanke 发表于 2025-10-28 18:38
没搞过10g,如果怀疑pvar model可以进model中比对,是否比umc/tsmc这些的model有少参数。 ...


你好,model仿真和umc基本一致,例如同尺寸出来的CV曲线。曲线斜率和具体容值就差10%上下。
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发表于 3 天前 | 显示全部楼层
你VAR另外一端直接接VCO两端吗,没有串联一个大电容,给VAR做偏置吗? 你确保VAR的压变特性在你要工作的区间范围内?
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 楼主| 发表于 前天 07:51 | 显示全部楼层


   
fallangel 发表于 2025-10-29 16:32
你VAR另外一端直接接VCO两端吗,没有串联一个大电容,给VAR做偏置吗? 你确保VAR的压变特性在你要工作的区 ...


另一端接的VCO输出,是dc 1.6V, ac 1.5V,没有隔直。 这个结构在其它量产产品上是一直在用。
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发表于 前天 18:11 | 显示全部楼层
1、看你的描述,猜测是NP互补的cross-couple结构,Tank的DC约是VDD/2(选择了变容管DC接到Tank,变容管调谐曲线也符合设计预期),不知道Tank的DC有办法确认是否异常吗?这个偏了的话,调谐曲线变了,Kvco应该会有出入。可以考虑适当抬高VDD电压看看结果
2、不知道kvco的测试方法,我用过开环和闭环两种方式,开环直接灌vtune电压,看频率;闭环微调分频比,记录vtune电压和频率。可以对比看看差异,不过看你的变容管好像有一组是用来温补的,可能会把vtune拉到相对中间,闭环不一定能做。
3、漏电的可能性很多,供参考:版图上添加的未知天线二极管在大信号场景下导通的漏电,变容管周边衬底电位接法错误形成漏电,器件本身小漏电但是串接了超大电阻形成压降,还有可能版图上形成特殊的寄生BJT引起漏电(这种可能在频谱上有特殊的spur)
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发表于 昨天 10:10 | 显示全部楼层
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 楼主| 发表于 昨天 11:39 | 显示全部楼层
本帖最后由 guj_tju 于 2025-10-31 11:43 编辑


   
Daixishi1988215 发表于 2025-10-30 18:11
1、看你的描述,猜测是NP互补的cross-couple结构,Tank的DC约是VDD/2(选择了变容管DC接到Tank,变容管调谐 ...


1、看你的描述,猜测是NP互补的cross-couple结构,Tank的DC约是VDD/2(选择了变容管DC接到Tank,变容管调谐曲线也符合设计预期),不知道Tank的DC有办法确认是否异常吗?这个偏了的话,调谐曲线变了,Kvco应该会有出入。可以考虑适当抬高VDD电压看看结果
2、不知道kvco的测试方法,我用过开环和闭环两种方式,开环直接灌vtune电压,看频率;闭环微调分频比,记录vtune电压和频率。可以对比看看差异,不过看你的变容管好像有一组是用来温补的,可能会把vtune拉到相对中间,闭环不一定能做。
3、漏电的可能性很多,供参考:版图上添加的未知天线二极管在大信号场景下导通的漏电,变容管周边衬底电位接法错误形成漏电,器件本身小漏电但是串接了超大电阻形成压降,还有可能版图上形成特殊的寄生BJT引起漏电(这种可能在频谱上有特殊的spur)
感谢您的分析。

1. 你对于结构猜测的没错,TANK DC没法测,但是有寄存器调节端口,调过DC值,没感觉环路参数有明显变化。但是根据您的建议,我可以详细补测一下不同DC的KVCO看看是否有一些线索。

2. 我是开环测得。温补部分可以并入VTUNE,也可以关闭,都是整体偏小。
3. spur正常。 我们是有一个vtune的检测ADC,通过一个10k电阻直接接到变容管控制一端,另一端接ADC的栅极输入。ADC其它项目也用过,未发现异常。能够看到ADC的输出指示电压是正常的,可以把片外的电压传导进去。漏电问题我可以再详细考虑一下您所叙述的可能性。
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发表于 昨天 11:49 | 显示全部楼层
有没有可能是SMIC40 Model不准?
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发表于 昨天 12:00 | 显示全部楼层


   
guj_tju 发表于 2025-10-31 11:39
感谢您的分析。

1. 你对于结构猜测的没错,TANK DC没法测,但是有寄存器调节端口,调过DC值,没感觉环路 ...


1、如果可以用闭环改分频比的方式也测试下kvco,是可以确认下开环结果是否可靠的。

2、另外PLL除了kvco不对,环路锁定的相噪曲线带宽是否跟设计相符?这个也能间接反应kvco是否合理。
3、你的问题里面,kvco不对,是不是单个调谐曲线的高低频也都跟仿真不匹配了?
4、因为内部ADC测试DC,毕竟不是测试到变容管接口的,这部分也可能引入误差。
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