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一篇关于BCD工艺的文章

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发表于 2008-3-10 19:50:46 | 显示全部楼层 |阅读模式

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BCD PROCESS.pdf

792.11 KB, 下载次数: 955 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

发表于 2008-3-10 23:13:57 | 显示全部楼层
关于什么的?
发表于 2008-3-11 11:20:39 | 显示全部楼层
Abstract
HV-BCDMOS-IC is a sort of complex circuit composed of Bipolar, CMOS and
LDMOS devices. In this paper, a 600V RESURF LDMOS with a p-type buried
layer and the metal field plate is proposed for improving the surface electric
field and reducing the on-resistance of LDMOS. A 600V BCD technology based
on standard Bi-CMOS process is realized by adding PN isolation, double well
and other optimized processes. With the process simulator TSUPREM-4 and 2-D
device simulator MEDICI, the processes and structures of different devices have
been simulated and optimized, especially for the HV-LDMOS. Using this
technology we developed a power IC. The test results show a good consistency
with that we have expected. The 600V BCD technology thus can be used in the
design of HVIC.
发表于 2008-4-22 17:25:42 | 显示全部楼层
了解一下不错!
头像被屏蔽
发表于 2008-4-22 17:55:57 | 显示全部楼层
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽
发表于 2008-7-27 18:55:31 | 显示全部楼层
顶顶顶顶顶顶顶顶顶顶顶顶顶顶得到
发表于 2008-7-28 15:19:06 | 显示全部楼层
Thanks
发表于 2008-9-2 20:06:02 | 显示全部楼层
hao
!~~~~~
发表于 2008-9-3 11:10:00 | 显示全部楼层
xiexiexie
发表于 2008-9-3 11:11:01 | 显示全部楼层
Thanks for sharing
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