关于DDR中轻重读写切换导致dll 没对齐的问题

tangnvwang · 发表于 7 天前

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大家应该知道。实际应用中，DDR 在轻重当量读写时，会导致整个ddr上的电源会有变化，会达到在30mV~40mV，这个量级。

在轻重负载切换时，电源在短时间会有较大的波动，这会导致DLL 对齐的clk出现偏差。

一般情况的手段，比如确定的重操作后，我们可以加快DLL 的工作效率，可以尽可能减小这个的影响

但实际的重当量操作有很多，并没有办法完全避免，特别是在有DLL 省功耗的情况，

不知道有没有同学知道什么别的解决思路。

nanke · 发表于 6 天前

电源为什么会有这么大的波动，电流从多少变到多少?是因为封装电感还是ldo太弱，前者就多出电源pad/bump，多加decap电容，后者如果ldo轻载到重载瞬态响应差可以在输出加个偏置电流。

tangnvwang · 发表于 5 天前

nanke 发表于 2025-10-11 14:23
电源为什么会有这么大的波动，电流从多少变到多少?是因为封装电感还是ldo太弱，前者就多出电源pad/bump，多 ...

主要是外部封装引入的寄生电感电容上的压降吧，加电流的方案，对电源影响不大吧

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