CMOS传输门器件方向问题

Yuki_IC · 发表于 2025-9-24 15:34:48

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如题，楼主最近在仿真开关时发现一个问题，CMOS传输门的器件如果方向倒置会导致仿真结果不同，如图一和图二，当漏极和源极连一起时和漏对漏时仿真结果会有差异，后面发现漏对漏的结果可能要合理一点，但是理论上这个地方MOS的方向不应该是没有关系的吗？（虽然源漏的掺杂浓度可能不同，但实际制造过程可以一致？）

以及在漏对漏的情况仿真出来的传输门电阻（PMOS||NMOS）曲线和漏极电压曲线如图三，好像跟网上其他马鞍线不太一样，网上看到的马鞍线应该是中间高阻值最大，我的好像反过来了，中间的阻值是最低的，请问这是什么问题呢？

Yuki_IC · 发表于 2025-9-24 17:08:38

自己顶一顶

qinkun · 发表于 2025-9-24 18:13:51

应该是一样的啊

bitcat · 发表于 5 天前

检查一下网表试试

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