在线咨询 切换到宽版
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网

 找回密码
 注册

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

搜全文
查看: 333|回复: 3

[求助] CMOS传输门器件方向问题

[复制链接]
发表于 2025-9-24 15:34:48 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

×
如题,楼主最近在仿真开关时发现一个问题,CMOS传输门的器件如果方向倒置会导致仿真结果不同,如图一和图二,当漏极和源极连一起时和漏对漏时仿真结果会有差异,后面发现漏对漏的结果可能要合理一点,但是理论上这个地方MOS的方向不应该是没有关系的吗?(虽然源漏的掺杂浓度可能不同,但实际制造过程可以一致?)

以及在漏对漏的情况仿真出来的传输门电阻(PMOS||NMOS)曲线和漏极电压曲线如图三,好像跟网上其他马鞍线不太一样,网上看到的马鞍线应该是中间高阻值最大,我的好像反过来了,中间的阻值是最低的,请问这是什么问题呢?

tg1

tg1

tg2

tg2

tg3

tg3
 楼主| 发表于 2025-9-24 17:08:38 | 显示全部楼层
自己顶一顶
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2025-9-24 18:13:51 | 显示全部楼层
应该是一样的啊
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 5 天前 | 显示全部楼层
检查一下网表试试
回复 支持 反对

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条

手机版| 小黑屋| 关于我们| 联系我们| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2025-10-3 12:30 , Processed in 1.054183 second(s), 4 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表