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[讨论] DDR模式

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发表于 2025-9-18 21:26:26 | 显示全部楼层 |阅读模式

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如果要用到DDR模式,可以这样写吗??


                               
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DDR模式的综合需要注意什么?要用到什么特殊命令?
发表于 2025-9-19 07:24:09 来自手机 | 显示全部楼层
直接写成两个reg,再与clk做and or操作,这样接近最终综合出来的电路
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发表于 2025-9-19 08:47:08 来自手机 | 显示全部楼层
一般rtl代码遵循所见即所得原则,rtl代码最好是可以肉眼翻译成电路,标准单元里面没有双沿触发器,所以最好不要直接这样写rtl。另外,由于触发器一般都是单复位源,所以在rtl代码里也尽量遵循单复位源原则,不然综合出来的电路特别别扭,而且时序的坑很大
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发表于 2025-9-19 10:07:01 | 显示全部楼层
可以写成reg的形式
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发表于 2025-9-20 13:12:01 | 显示全部楼层
本帖最后由 haimag 于 2025-9-20 13:19 编辑

冷知识,如只是行为级, SV 有 edge 这个关键字,

---
Edge event controls (posedge, negedge, edge) applied to real variables (see 9.4.2)

In addition to posedge and negedge, a third edge event, edge, indicates a change towards either 1 or 0.
More precisely, an edge event can be described as:
An edge shall be detected whenever negedge or posedge is detected.


Wait for the edge (either the negative edge or the positive edge, whichever happens first) of
dom.sig1.
@(edge dom.sig1);
Or equivalently
@(negedge dom.sig1 or posedge dom.sig1)

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 楼主| 发表于 2025-9-20 19:21:23 | 显示全部楼层


   
xxzzc 发表于 2025-9-19 07:24
直接写成两个reg,再与clk做and or操作,这样接近最终综合出来的电路


有下降沿触发的寄存器吗?综合跟上升沿触发的有什么区别呢?
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 楼主| 发表于 2025-9-20 21:03:39 | 显示全部楼层


   
haimag 发表于 2025-9-20 13:12
冷知识,如只是行为级, SV 有 edge 这个关键字,

---


如果要可综合的电路呢
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发表于 2025-9-21 09:26:09 来自手机 | 显示全部楼层


   
scutlee 发表于 2025-9-20 19:21
有下降沿触发的寄存器吗?综合跟上升沿触发的有什么区别呢?


上升沿触发的触发器有,下降沿触发的触发器也有,但是一般stdcell不提供双沿触发的触发器
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发表于 2025-9-24 17:30:40 | 显示全部楼层
不可以,没有reg cell可以上升沿合下降沿同时触发。最少需要两个寄存器,一个对应上升沿一个对应下降沿。下降沿触发的寄存器用又导致sta分析困难,常规做法是时钟经过反相器后驱动上升沿触发reg作为下降沿,sta约束为半周期收这两个寄存器之间的时序路径。但是反相器对0-1和1-0跳变的延时不一致,也有它自己的问题
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