LDO相位裕度小于45，一定会振荡吗

dyh666

一个五管运放加PMOS驱动的LDO，负载电容0.1uF，相位裕度只有6deg，但是tran仿真最终可以稳定，想问下这样的情况会不会有风险

wkp1992101

仿真是基于理想情况，时间生产会有变数。假设变到-6deg，是不是就震荡了

dyh666

   

wkp1992101 发表于 2025-9-17 10:40
仿真是基于理想情况，时间生产会有变数。假设变到-6deg，是不是就震荡了

感谢回复。

这个结构投过MPW，流片测试输出的电压波形还算ok
不过我比较担心 假如输出以一个很小的幅度振荡，虽然不会对应用产生影响，但最终导致了额外的功耗

totowo

风险大了去了，为什么要有“裕度”？很简单是因为所有仿真都依赖于模型的精确度，不光是工艺上晶体管的模型，还有片外负载的模型，你确定你都电容就是这个样子的模型？还有封装的寄生、pcb的寄生。

有一些片内的不是很关键的ota/opa，对噪声啥的也不敏感，也跟外部负载没关系（所有负载都是片内的），如果你们能相信后仿比较准确，有的时候pvt能保证相位裕度只有20~30度，其实是可以接受的。。。。。像这种跟外部负载强相关的，你6度差太多了

JiahuiShen

瞬态响应不会过冲？

dyh666

   

JiahuiShen 发表于 2025-9-17 10:55
瞬态响应不会过冲？

会有过冲，但是应用的场景不太care

dyh666

   

totowo 发表于 2025-9-17 10:47
风险大了去了，为什么要有“裕度”？很简单是因为所有仿真都依赖于模型的精确度，不光是工艺上晶体管的模型 ...

感谢回复。

之前流片测试结果还算ok，就是功耗比预期的大了几个uA,所以现在分析的方向是振荡导致的。
但我们是用示波器测电压波形，本身测的时候就有噪声，也没法判断到底振没振

hjjjjy

   

dyh666 发表于 2025-9-17 10:47
感谢回复。

这个结构投过MPW，流片测试输出的电压波形还算ok

MPW才多少？就是一个lot也才一点点Process范围。到量产变数还是挺多的，尤其是涉及到0.1uF的片外电容和负载，很容易就把6degree吃掉了。可以跑下sens analysis看看各参数对PM的影响评估一下风险，如果良率可以接受也不是不行。