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[求助] 经过flash的路径约束

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发表于 3 小时前 | 显示全部楼层 |阅读模式

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请问各位大佬,设计里有图中这样经过flash的路径,Flash的时序是从READ有效到读出数据DOUT端有25ns的延时,并且DOUT端对READ还有2ns的setup要求(flash lib中是retaining),READ信号的来源和DOUT的去路都是clk主时钟驱动的reg,这种路径该怎么约束?尤其是在前端没法设具体reg的pin的情况下。这里周期是10.4ns,希望两个寄存器之间在3个周期以内完成这个操作,请问大家在更高频的设计中,是如何处理这种路径的?
屏幕截图 2025-09-17 093206.jpg
发表于 2 小时前 | 显示全部楼层
根据最快时钟周期设置 multicycle 约束,超过最大延迟即可
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发表于 2 小时前 | 显示全部楼层
楼上艾斯说的很对。我多嘴补充一点,这里的multicycle也需要数字逻辑做支持的。
也就是说逻辑里要知道READ过去后几个cycle的数据是有效的,并且弃掉不要的数据。
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